LPCVD

制造工艺，如刻蚀、PECVD、LPCVD、PVD、MOCVD以及清洗等。”Edwards中国分公司总经理许坚说。“制造工艺的复杂度不断提升，对包括真空泵在内的设备硬件提出了更苛刻的要求

SiNx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法（CVD法）、等离子增强化学气相沉积（PECVD法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）。在目前产业上常用的是PECVD法。 PECVD法按沉积腔室等离子

倍。 更高的生产率： 相比三氟化氮和其他含氟气体，氟气较弱的键离解能使工艺能够在较低温度下进行更快更节约成本的清洗。对于300毫米晶圆的LPCVD工艺，在TELFORMULA 和HKE QUIXACE等
LPCVD腔室清洗开始，已有超过25个商业化现场氟发生器在为工厂无故障服务，每年生产氟气1~120吨。这些设备已经通过了该行业所有主要的安全标准：Semi S2、CE、ASME、UL，并已在安装时通过了所有

太阳能电池生产线提前一个月达到满量产。该生产线包含了欧瑞康太阳能创新的LPCVD TCO前后电极技术。平均组件功率和生产良率都超过了预期的合同目标。富阳光电在2008年10月已经拿到了IEC证书。这实现意味着
性能的前后电极工艺方法。所使用的LPCVD工艺领先于传统方法，可沉积透明导电氧化层（TCO）。该层的光传输和散射特性对于提高光电转换效率是非常重要的。富阳光电光伏组件的优越性能和生产力，显示出欧瑞康太阳能TCO技术量产化已成熟，并对于行业的规模需求做好了准备。 (编辑:xiaoyao)

40MW的非晶硅薄膜太阳能电池生产线提前一个月达到满量产。该生产线包含了欧瑞康太阳能创新的LPCVD TCO前后电极技术，它无疑也验证了在过去6个月里其量产的能力。平均组件功率和生产良率都超过了预期的合同
承诺。” 在这个项目了，欧瑞康太阳能在产线上实现了一种特别的高性能前后电极的工艺方法。我们使用LPCVD工艺来沉积透明导电氧化层（TCO），这领先于传统方法。该层的光传输和散射的特性对于效率是非

： 低压化学气相沉积（LPCVD） 这是一种直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶硅
薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料

Polysilicon (多晶矽) 是一種以矽為基底, 由許多約為0.1 至數個um 大小的矽晶粒所組合而成的材料。在半導體製造產業中，多晶矽通常先以LPCVD (Low Pressure