成的材料。在半導體製造產業中，多晶矽通常先以LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
沉積後，再以高於900℃的退火形成，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此
種方法卻不適用於平面顯示器製造產業，此乃因為玻璃的形變溫度只有650℃。因此，LTPS
技術即是特別應用在平面顯示器的製造上的多晶矽成膜技術。
現在已有許多方法可以在玻璃或塑膠基版上製造LTPS薄膜:
Metal Induced Crystallization (MIC)：屬於SPC 方法之一。然相較於傳統的SPC，此方法能在較低溫下（約500~600℃）製造出多晶矽。這是因為一薄層金屬在結晶前即先形成在矽薄膜上，而此金屬成分是降低結晶化所需要的活化能，使其能在較低溫結晶的重要關鍵。 Cat-CVD: 一種無須經由退火處理、而可直接沉積多晶薄膜(poly-film)的方法。沈積溫度可低於300℃。成長機制包含SiH4-H2 混合體的catalytic cracking reaction。 Laser anneal: 此為目前最廣為運用的方法。利用Excimer 雷射加熱及融化含氫量低的 a-Si，然後再結晶為多晶矽薄膜。
為什麼使用LTPS?
LTPS 薄膜的製備遠比a-Si複雜許多，然而LTPS TFT的載子遷移率(mobility) 比a-Si TFT 高出一百倍，並且可以在玻璃基板上直接進行CMOS製程。以下列出幾種p-Si優於a-Si 的特性：
可直接整合驅動電路於玻璃基板上,意指較小的周邊電路使用面積，而且降低成本。 高開口率: 高遷移率代表使用幾何尺寸較小的電晶體即可提供足夠的充電能力，因此光穿透的有效面積變大。 Vehicle for OLED : 高遷移率代表可提供OLED Device較大之驅動電流,因此較適合作為主動型OLED顯示器之基板。 模組緊密：由於部份驅動電路可製作於玻璃基板上,因此PCB上的電路相對簡單,因而可節省PCB之面積。
