LPCVD
2-3 年高效电池技术的设备进行研发储备，其中链式 HIT硅片清洗设备和超高产能 HIT单晶制绒清洗设备已完成了样机制作，应用于 TOPCon 技术的管式LPCVD 已进入了样机设计阶段，超高产能槽式
产品，这将极大地加速HJT电池产业化进程。
2.N型LPCVD电池设备
在N型TOPCON电池领域，因TOPCON工艺极大地简化了电池生产工艺，且与传统晶硅电池生产工艺高度兼容，广泛得到关注。据悉
，深圳捷佳伟创已经开发出LPCVD设备，在增强电池表面钝化效果及促进多数载流子的传输方面，通过特别的结构设计在同一腔体里集成实现了隧穿氧化层、多晶硅层的沉积及掺杂功能，克服了金属接触区复合较高的问题。与
以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及
化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及各种应用形式。 爱康科技 提出以高效 HJT 异质结电池+高效叠瓦组件为核心的产品技术路线。新一代迭代
、双面、N型等新型电池片的制造需求。特别是奇元裕重点推出的荷商Tempress低压化学气相沉积设备(LPCVD)和Topcon相关工艺整合解决方案，在国内的市占率为业内第一。Tempress的LPCVD
产品受到了行业的广泛认可，国内的产商不管是用国产设备还是进口设备，都会有一台Tempress的LPCVD产品。
期望国内光伏市场保持快速发展
近年来，国内光伏市场发展迅速，光伏成本获得了大幅降低
LPCVD设备，能很好地与目前量产工艺兼容，便于产线升级。同时掺杂多晶硅层良好的钝化特性以及背面金属接触结构具有进一步提升转换效率的空间，可提升0.8～1.0%左右的电池转化效率。 图4
回来看 首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂
沿技术上，Tempress高度的研发含量及LPCVD设备，进一步提升了最为火热的TOPCon结构的表现，最受业界瞩目。近期欧洲最大的双面发电光伏项目，即采用N型单晶光伏电池制成的双面发电组件，该技术由
。
上述方法实际消耗的硅材料更多，为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。 此外，液相
，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火
（PECVD法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）。在目前产业上常用的是PECVD法。PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是
