LPCVD

薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和
LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶

的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD
在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层，再将这

工艺气体总流量的增加，折射率缓慢增加。在用等离子体形成的氮化硅膜的折射率与致密性没有必然的联系，并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用LPCVD所形成的氮化硅膜是有差异的。随着工艺气体总流量的增加

具有自主知识产权的非晶/微晶薄膜太阳能生产线，使用理想能源的LPCVD和PECVD设备作为其关键工艺设备。同时，理想能源和正泰太阳能合作完成了工艺集成、工厂自动化、工厂布局等整线集成工作，成功促进生产

90/65nm 立式氧化炉/质量流量控制器研发及产业化项目"、"65nm超精细清洗设备研制与产业化项目"、"45-32nm LPCVD设备产业化项目"。通过承担国家科技重大专项，一方面是公司行业地位

形成的氮化硅膜的折射率与致密性没有必然的联系，并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用LPCVD所形成的氮化硅膜是有差异的。 　　随着工艺气体总流量的增加，吸光系数也缓慢增加，HF酸腐蚀的速度也缓慢提高

单层还是双层，这一点对石墨烯在电子和其他技术领域大展拳脚来说非常重要。研究团队的技术关键是他们深刻理解了基座对石墨烯生长动力学的重大影响。他们在一个经过预处理的铜基座上使用低压化学气相沉积（LPCVD

相沉积（LPCVD）法并在特定的高温下将甲烷分解，从而制造出了均质的碳层（石墨烯）。参与研究的博士后研究员刘伟（音译）表示：“铜基座上不完美的位置点会显著影响石墨烯的生长，通过对铜表面进行正确处理并

。作为国内首家掌握光伏薄膜生产线核心设备的企业，理想能源的PECVD和LPCVD在生产效率上达到国际一流水平，填补国内空白，将大大降低薄膜生产成本，具有较好的竞争优势。正泰集团董事长南存辉、副总裁王永才

薄膜电池LPCVD、PECVD工艺、电池结构和组件结构的研究，优化了前后透明导电极的镀膜工艺参数和电压与电流的匹配，研发出了性能优良的非晶-微晶薄膜材料及电池，有效地提高了产品转换效率，在产品