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LPCVD
产线主要是为了满足大尺寸的需求，大尺寸以后会是主流需求，而且新增perc产线也有预留空间，一旦topcon性价比成熟，公司可以很快新增设备来满足下游客户需求。
公司并没有用LPCVD的技术，因为
LPCVD优点：稳定、保证品质，缺点：新增成本，评估认为其性价比不够优秀，所以选的是另外两种更新的技术路线，其缺点是可能没有LPCVD这么成熟。
Q：今年预计新增多少perc产能?电池片的微利不会影响今年
目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节。目前PERC电池产
涉及Topcon、HJT、钙钛矿等新技术路线的布局，例如LPCVD、硼扩散、激光硼掺、激光划线以及新型高精度PECVD等设备，在电池激光转印和高密度板块互联组件方面也有一系列的行动和计划。 创新
产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶 硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前 PERC 电池产线单 GW 投资在 1.5-2.0 亿元
提升电池转化效率。
TOPCon 多技术路线并进，LPCVD 是目前主流工艺。目前 TOPCon 最大的任务是简 化工艺降低成本，从目前产业化发展的进展看，LPCVD 是目前主流工艺路线。主要包括
有很高的兼容性，有望成为过度工艺 TOPCon与PERC有很好的兼容性。TOPCon仅需在PERC产线基础上增加硼扩、LPCVD和湿法刻蚀机台，新增投资额约5000万元/GW。 目前电池
。公司以扎实技术立足，在原有核心技术团队和经营团队的基础上吸纳了具有多年行业经验的管式炉(扩散、退火、PECVD、LPCVD等)核心技术精英团队，打造全新团队，关注业内相关设备的痛点，不断以新的技术
奏效。学者们解释道。 其制造工艺包括通过原位掺硼多晶硅层低压化学气相沉积法(LPCVD)形成p型后触点。工艺步骤还包括高温退火并通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在电池的两侧应用氮化硅
，具有比PERC更高的理论转换效率，可在现有PERC产线上进行升级改造，通过增添LPCVD、硼扩等设备即可实现效率提升。
TOPCon属于PERC+中较有前景的技术，可能将扛起PERC+的大旗
(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、扩散炉、刻蚀设备;
(2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀
PERC+技术，具有比PERC更高的理论转换效率，可在现有PERC产线上进行升级改造，通过增添LPCVD、硼扩等设备即可实现转换效率的较大提升。
PERC+技术将继续推动PERC转换效率提升。根据《2020
的沉积目前有3条主要的工艺路 线(在PERC上基础上增加，图中黄色部分)：
(1)本征+磷扩：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD
%+，但是由于隧穿氧化层通过高温氧化， LPCVD沉积非晶硅，离子注入掺磷，并经高温退火，多晶硅绕镀清洗等多道工序完成。相比于PERC电池量产，生产成本和良率是长期困扰的难题。
此次J-TOPCon
)，填充因子(FF)均有提升。良率也可提高2%。
POPAID装备技术使一台设备可以替代现有管式高温氧化、管式LPCVD，离子注入去绕镀清洗四道工序的四台设备，量产设备产能达到8000片/小时。
由于
