LPCVD
2-2.5亿元左右，而HJT投资额在4-4.5亿元左右，但单GW PERC改造为TOPCon金额约6000-8000万元左右，主要新增设备为非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备，可实现
。
1) TOPCon 电池采用 N 型硅片，需要在 PERC 产线上增加硼扩设备，背面的 SiO2隧穿层 和掺杂多晶硅层，分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积) 中
沉积，因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD 和湿法刻蚀设备。
2) HJT 电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN 结由不同材料构成)，最高工艺温度不 能超过非晶硅薄膜形成温度(200
生产的TOPCon电池量产转换效率已达到24.5%，这是国内最高的量产效率。 公告称，中来运用了新一代J-TOPCon 2.0技术，该技术使用了全球领先的POPAID工艺技术，相较于采用LPCVD的
多晶硅实现钝化接触，大幅度提高电池效率。经过多年研发和生产调试，中来量产效率虽然达到了世界领先的23.5%+，但是由于隧穿氧化层通过高温氧化， LPCVD沉积非晶硅，离子注入掺磷，并经高温退火，多晶硅绕镀
高温氧化、管式LPCVD，离子注入去绕镀清洗四道工序的四台设备，量产设备产能达到8000片/小时。
中来称，由于利用POPAID 技术使原来TOPCon 12道制造工序缩短到9道工序。这不仅提升
工艺，量产化困难度低。
图2. TOPCon 工艺流程图
目前用于生长高质量重掺杂多晶硅层的方法有LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD两种。一种是用LPCVD原位(或离位
)掺杂形成多晶硅，由于LPCVD沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即LPCVD形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅;另一种是使用PECVD沉积掺杂非晶硅或微
，添加 LPCVD、B 扩以及绕镀清洗等设备即可完成产线升级，升级投资较小。 HJT HJT(Hereto-junction with Intrinsic Thin layer)技术最有可能
升级有望启动下一轮技术变革。当下，市场较为流行的商业化技术有PERC+和TOPCon ，其中，TOPCon通过隧穿氧化层和多晶硅薄层钝化电池，核心增加硼扩、LPCVD 设备,目前规划产能超过7GW
氧化物的制备：主要以热氧工艺为主，基本可集成在 LPCVD 机台中实现;
多晶硅沉积：可分为两种方式，一种是先进行非晶硅层生长，而后通过扩散炉晶化并通入磷源进行掺杂，另一 种是通入磷源实现原位掺杂
，而后退火晶化。实际工业生产中，非晶硅沉积主要利用 LPCVD 设备实现，缺点 在于沉积过程中存在绕镀现象。
湿法刻蚀：由于非晶硅沉积存在绕镀，实际量产中采用湿法刻蚀工艺对绕镀的非晶硅进行刻蚀
、离子镀、RPD反应离子沉积等)、CVD(PECVD、LPCVD等)和ALD原子层沉积等真空镀膜设备上拥有先进技术和高端装备制造经验，形成工艺研究设备、规模化产线设备系列化产品，广泛应用于光伏、半导体、显示、纳米科技、化工、制药等领域，并拥有GW级光伏电池产线核心技术和设备制造经验。
设计理念。平台能很好地与目前量产PERC工艺兼容，技术首次通过一台设备完成三种工艺，相对于传统LPCVD设备沉积技术，将大幅改善N型电池正面多晶硅绕度面积与掺杂多晶硅镀膜速率降低的影响。设备兼容性还体现
