LPCVD
近日，《东吴光伏圈》获悉，无锡松煜科技有限公司先后签订了近4亿TOPCon设备订单，包含ALD、硼扩、退火、LPCVD、PECVD等设备。其中ALD原子层沉积设备实现公司有史以来100GW订单突破
采取了炉口密封使用特殊材料特殊结构设计，实现了uptime可达98%。松煜热式炉原创特有的竖插方式，确保了设备的大产能以及在超高温超薄硅片上的弯曲度、掉片和碎片率优势;POLY方面，LPCVD石英管
应用于市场端，以高效率高功率高可靠的优异性能服务客户，为客户带来极致的产品体验。上午，海宁智能制造基地三期项目举行n型TOPCon电池下线仪式。经历制绒、硼扩、 LPCVD、磷扩、丝网烧结等多道工序
减少甚至避免目前行业内LPCVD设备出现的绕镀问题，以及管式PECVD容易出现的爆膜、石墨舟寿命低及量产不稳定的问题，同时又可以进一步规避采用大尺寸线性离子源依赖进口、造价昂贵和膜层均匀性较差的问题
需要使用不同的镀膜方法进行制备。主要方法可分为 物理气相沉积 PVD、化学气相沉积 CVD、原子层沉积 ALD。在光伏行业中应用 较多的包括 PECVD, ALD, LPCVD, PVD 等技术
PERC, TOPcon 和 P-IBC 技术。
LPCVD(低压化学气象沉积)：用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基 片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜，主要用于制备二氧化硅和掺杂多晶硅层， 应
电池，增加了硼扩散工艺，然后背面制备SiO/Poly-Si钝化接触结构。目前有三种方法制备钝化接触，最常用的是LPCVD沉积非掺杂的多晶硅，然后通过磷扩散对多晶硅进行掺杂，最后通过PECVD技术在前
后表面制备钝化层和减反膜，以及丝网印刷制备电极结构。设备方面，TOPCon相比PERC核心增加了硼扩炉(进行硼扩散)、LPCVD或PECVD(SiO+多晶硅)设备，同时去除了前道SE、后道开槽两道激光
型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升了电池的开路电压和短路电流，提高电池效率。
1)LPCVD是
目前TOPCon 生产的主流工艺
目前 TOPCon 电池有 4 种不同的工业化工艺流程，分别为：LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺;LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺
LPCVD+磷扩;或者PECVD原位掺杂技术路线。近两年新建大尺寸PERC 产线，一般预留TOPCon空间，可采用PECVD/PVD原位掺杂技术路线。
据一道新能介绍，目前TOPCon电池工艺的难点
在于减薄多晶硅层厚度和提升掺杂浓度，以提升钝化效果和增加长波长光谱响应。同时，在保证效率的同时将工艺窗口做大、保证量产工艺的稳定性，是当前量产最大的挑战。一道新能持续进行LPCVD设备优化和工艺优化，保证
很高，在PERC产线上新增多晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备和硼扩散设备就可升级为TOPCon产线，改造成本并不高。由此带来的直接结果就是，TOPCon电池、组件更具成本优势，更容易被电站业主接受
竞争力。
在传统的LPCVD技术路线上，捷佳伟创无论从产能或技术性能都已领先对手，在此基础上公司的PE-Poly技术路线也已成功推动客户应用的成本优势、投资优势、效率优势、良率优势等，可进一步加快
TOPCon电池的大规模产业化，奠定捷佳伟创在TOPCon高效太阳能电池专用设备及技术领域的龙头地位。
原标题：全面领先LPCVD!捷佳伟创PE-Poly整线设备交付客户量产运行
升级优化。 公司LPCVD在客户端试用的效率及良率均处于行业领先，并也在积极导入到行业内用LPCVD路线的客户；同时公司主推的PE-Poly路线，较LPCVD具有设备投资成本低，效率高、良率高、解决
