LPCVD
科技POPSOLAR)
从设备成熟度、N型工艺发展趋势和终端市场变化来看，IBC电池将迎来重大发展机遇：
(1) 制备TOPCon电池的关键设备LPCVD(或PECVD)，已经成熟，推动
沉积设备
非晶硅薄膜沉积设备，主要有板式PECVD、HWCVD和LPCVD设备。见下表：
非晶硅薄膜沉积设备比较
(来源：公开信息，普乐科技POPSOLAR整理)
LPCVD设备，是随着
整线供应能力的公司，而且从已验证数据来看，公司在TOPCon电池生产的转换效率及良率等方面均全面处于行业领先地位。十余年来，公司在硼扩散、ALD、PE-ALD、LPCVD及管式PECVD-Poly、管式
原因在于产线的投资成本。 虽然上文说过TOPCon的生产工艺比HJT更复杂，但另一方面，TOPCon和PERC的产线重合度很高。在PERC产线上新增非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备和镀膜设备
采用硼扩散的发射极，背表面为SiOx/n+ poly钝化接触结构，采用LPCVD沉积本征poly-Si，然后采用离子注入进行掺杂，前表面和背表面均为H型栅线电极，可双面发电，此技术路线称之为
土的精神，在光伏设备升级改造的浪潮中更进一步，从而维护公司在市场中的地位，回馈股东。谢谢。 A：感谢您的关注和建议。公司已在TOPCON技术领域推出了LPCVD和三合一管式PECVD，能够满足客户的
巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
使用周期，降低沉没风险，是未来 2-3年极具性价比的路线选择。
TOPCon 多技术路线并进，LPCVD 是目前主流工艺。主要包括三种工业化流程：
1) 方法一：本征+扩磷。LPCVD
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
，PERC产线需要6000-8000万元/GW改造升级为TOPCon产线。改造方式以多技术路线并进，包括LPCVD和PECVD两条路，分为三种工业化流程：
1)方法一：本征+扩磷。LPCVD制备多晶硅膜结合
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
投资额较 PERC 仅增加 20-30%。随着核心设备的 LPCVD 国产化，TOPCon 设备投资 额已下降至目前的 2.1-2.3 亿元/GW(相当于基于 PERC 老产线，增加
/TOPCon 电池计划产能已达 75GW。
4.2. TOPCon 多技术路径并存，2022-2024 年迎行业爆发期
在 TOPCon 核心的薄膜沉积工艺设备中，LPCVD 为目前市场主流。我们
管式 PECVD、LPCVD、PEALD 多技术路线设备共存，国内电池设备厂商(金辰、捷佳、拉普拉斯、江苏微导等)已纷纷在不同技术路径进行布局，未来 3 年将受益 PERC 产线升级 TOPCon
