LPCVD

能很好地与目前量产PERC工艺兼容，技术首次通过一台设备完成三种工艺，相对于传统LPCVD设备沉积技术，将大幅改善N型电池正面多晶硅绕度面积与掺杂多晶硅镀膜速率降低的影响。设备兼容性还体现于硅片尺寸

、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和 perc+se 产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD 沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备，便可
以实现设备的升级。目前龙头厂商 perc 产线均留有一定设备空间，有助于产线改造升级。 设备国产化加速，产能投资额迅速下降。随着近年来 TopCon 设备国产化的加速，国内厂商陆续完成 LPCVD

ALD+PECVD 两台设备，代表厂商为江苏微导。相较于后者， 前者沉积速率高，并拥有两台设备可以合并成一台的工艺可能。 PERC+2.5 代更关注 LPCVD、碱抛光等新增设备及新型镀膜设备。TOPCon 在现有
PERC 设备基础上增加 LPCVD 设备，B 扩以及绕镀清洗难度较低，投 资增加 1 亿/GW 可完成技术升级，运营成本低。目前行业中以捷佳伟创为代表 的设备商新型 TOPCon 设备已批量

产品为电池片环节生产所需的部分设备和所需的零部件、原材料，有以下4类光伏设备： (1)等离子加强型化学气相沉积设备(PECVD)(2)低压化学气相沉积设备(LPCVD)(3)低压扩散炉(4)原子层沉积
，就必须避开知识产权问题，这直接导致ALD的市场应用前景可能会受影响。 PECVD、LPCVD一直是免税对象，两种设备重要性显而易见。 PECVD是PERC工艺技术的升级所需要的核心设备，根据

博主要介绍中来光电2.4GW的n型双面钝化接触太阳电池及1GW组件研发与量产的进展，以及n型双面组件在光伏电站中发电量的增益。采用n型双面钝化接触电池技术，结合先进的硼扩技术、离子注入技术及LPCVD

、Y05-4/UM型太阳能电池测试分选设备等二十多种光伏装备产品，为光伏企业提供了全产业链的设备支撑。目前公司以市场为牵引，技术为引领，提前布局TOPCON、HJT电池工艺新设备研发，LPCVD、PVD等新一代

项目合同：国家电投集团西安太阳能电力有限公司西安电池TOPCon工艺升级改造项目LPCVD及附属设备采购 合同编号：0411-TYN-SB/JG-(2019)第8号(总220号) 招?标?人
工艺升级改造项目LPCVD及附属设备采购进行公开招标，中标人在收到中标通知书后与买方签订合同。现将有关事宜公告如下： 1.1项目概况 国家电投集团西安太阳能电力有限公司主营业务为太阳能硅片、电池片

使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂

上海有限公司总经理奚明说，公司在业内自主研发了板式ALD设备，具有镀膜质量、效率、稳定性、碎片率等方面优势，可推动电池技术进步。北方华创科技集团股份有限公司LPCVD产品经理王晓飞说：具有低耗、多产
、高效优点的Topcon技术有助于高效电池降本提效;LPCVD设备工艺优势明显，高效的成膜速率可缩短工艺时间。 电池核心技术有待突破 不过，多位与会专家还表示，虽然光伏行业在电池技术及关键设备领域