LPCVD
出现在20世纪初，近年来显示技术和光通信技术的高速发展极大的推动了TCO薄膜的研究进程，同时也对其光电性能提出了更多、更高的要求。国内外多个研究机构和公司对其进行了相关的研究，有学气相沉积(LPCVD)掺硼的
ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
环节。工艺繁杂是TOPCon的痛点，且目前技术路线并不统一，多条技术路线并行。主要有三种，第一种是LPCVD 制备多晶硅膜结合传统的全扩散工艺;第二种是LPCVD 制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺
引领者，一道新能在TOPCon电池提效降本方面利用先发优势持续研发投入，大部分公司的TOPCon良率在90%-95%之间，与PERC电池98%的良率相比仍有一定差距，一道新能持续进行LPCVD设备优化和
效降本方面利用先发优势持续研发投入，大部分公司的TOPCon良率在90%-95%之间，与PERC电池98%的良率相比仍有一定差距，一道新能持续进行LPCVD设备优化和工艺革新，在渐变膜技术、超薄
LPCVD的路线还是会选择PECVD的路线?答：LPCVD和PECVD各有优势。当前阶段LPCVD较为成熟，公司也较好掌握了LPCVD技术路线的量产技术，并持续进行降本增效的改善工作。另一方面，公司时刻
改造的性价比更合适；在设备选择上，TOPCon技术方案多样。主要分歧在隧穿层及多晶硅镀膜工艺上有所区别，目前的主流工艺是LPCVD+磷扩；PECVD工艺优势明显，目前正处于产业化验证期；PVD法主要
提效，目前已做好了各方面的技术准备。帝科股份表示，公司TOPCon导电银浆一直处于大规模出货阶段，包括晶科能源在内的行业领先客户等。未来TOPCon无论背面是LPCVD还是PECVD制程，还是正面激光SE工艺等，公司都做好了相关技术储备与应对方案。
使用不同的镀膜方法进行制备。主要方法可分为 物理气相沉积
PVD、化学气相沉积 CVD、原子层沉积 ALD。在光伏行业中应用 较多的包括 PECVD, ALD, LPCVD, PVD 等技术
PERC,
TOPcon 和 P-IBC 技术。LPCVD(低压化学气象沉积)：用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基 片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜，主要用于制备二氧化硅和掺杂多晶硅层， 应
技术管理工作，不断对工艺进行管控、优化和调整，实现公司产品转换效率持续提升。LPCVD、PECVD作为TOPCon电池生产技术工艺路线的两种方式，各有特点。目前LPCVD较为成熟，公司采用LPCVD技术
工艺、基于LPCVD的IBC电池工艺和基于激光掺杂的HBC电池工艺等多种超高效N型电池专利技术。截止本框架协议签署之日，普乐徐州累计已申请专利56件，其中获国家知识产权局授权专利达18件，包括HBC电池
