表面等离子

就会产生电离，形成自由运动并且相互作用的等离子体，等离子体沉积到硅片表面形成一层深蓝色SiN薄膜。这层SiN薄膜具有很好的光学特性，良好的膜厚和折射率可以促进太阳光的吸收，使电池片上光的反射大大减少

等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
如果将氮化硅作为前表面钝化膜，并将其折射率控制在2.0左右，既能起到很好的钝化作用又能起到较好的减反射效果。 3 表面钝化膜制备方法及动态 3.1等离子体增强化学气相沉积法 等离子体增强

镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量
电场作用下,电子加速并与气体分子碰撞,产生离化及中性基团,这些基团发生多种二次反应,反应物与衬底反应后吸附在衬底表面形成薄膜。 1.2PECVD法沉积氮化硅薄膜原理 非平衡等离子体的一个重要

。 ◎叠层钝化 热生长的SiO2由于其良好的致密性，具有很好的表面钝化作用，而等离子体增强化学气相沉积法沉积的SiNx薄膜对硅片的表面和体内都有一定的钝化作用。由于波长较短的光在电池表面很小的薄层

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

形成表面钝化。对AI2O3钝化硅表面的物理机制的理解重新激起了硅光伏研究界对PERC的研发兴趣。在前几年，得益于高产能光伏专用的基于多种沉积方法--例如空间原子层沉积(ALD)方法和等离子增强化学沉积

，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
是对电池片背表面镀上较薄的Al2O3，厚度在2～10 nm 之间。电池片经过ALD 后，每片厚度均在正常范围之内，且ALD 只是对电池片表面提供一层钝化层，所以暗片的产生与这一工序无关。由于目前

单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术，实现多晶转换效率达22.3%。 上述世界效率纪录的
实现，都使用区别于常规晶体硅电池制造技术的技术，总结下来，提高晶体硅太阳能电池转换效率主要有以下三个方向： (1)提高光学利用率 优化电池片表面陷光结构以及减反射膜，减少正面金属遮挡，甚至转移