表面等离子
镀膜技术
根据Plasma的产生方式，又可以分为电感耦合等离子体增强ALD(ICP-ALD)、电容耦合等离子体增强ALD(CCP-ALD)及微波等离子体增强ALD(MWP-ALD
)。
台湾益通的颠覆性技术
PERC电池技术进步路线图
SelEm1前电极SE
SelEm2前表面SE+BSG烧结n++
BSF-seg局域背场
advEm新型的发射极结构
流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就使硅片具有光伏效应;
S14、等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将 PN 结短路的导电层;
S15、去磷硅玻璃，化学清洗硅片表面，去掉反应形成的
为电能，实现光伏发电。
太阳能电池片的生产工艺比较复杂，简单说来，目前的太阳能电池片的生产过程可以分为以下几个主要步骤：
S11、超声清洗，利用超声波清洗硅片表面;
S12、制绒面，通过化学反应
近日，全球领先的清洁能源应用系统的推动者和领先者苏美达辉伦(Phono Solar)宣布，公司自主研发的黑硅电池片新工艺《一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法》获得了中华人民共和国知识产权局授予
%。
纵观行业，目前有许多实验室能够通过不同的方法制备出黑硅，如飞秒激光脉冲法、等离子体刻蚀法及金属离子辅助刻蚀法等。但这些传统方法所制成的黑硅纳米陷光结构通常具有结构较小、密、深且缺陷多的特征，甚至有杂质
、无机非金属材料、材料物理、功能复合材料与结构等5个研究所以及1个电子显微镜中心，并拥有硅材料国家重点实验室、表面与结构改性无机功能材料教育部工程研究中心、浙江省电镜中心、浙江省电池新材料与应用技术
、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些常规的半导体、薄膜及太阳电池测试分析手段，如四探针Hall效应测试仪、高频、准静态C-V
、表面与结构改性无机功能材料教育部工程研究中心、浙江省电镜中心、浙江省电池新材料与应用技术研究重点实验室、浙江省新型信息材料技术研究重点实验室。
上海市
上海交通大学 【211 & 985
完整的晶体光伏电池中试线(可年产光伏组件50kW/年)，包括：高纯水制备、半导体清洗、扩散、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些
，RIE），该方法是等离子体在电场作用下加速撞击硅片，在硅片表面形成纳米结构，从而降低多晶硅片的反射率。湿法黑硅制绒工艺为金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
效率区间为19.8-20%，对应的组件功率为280W。为了进一步提升单晶电池效率，在电池背面增加了钝化层。通过背面钝化层的作用，电池的表面复合速率显著降低，电池的效率提升到20.8-21%，对应的
（ReactiveIonEtching，RIE），该方法是等离子体在电场作用下加速撞击硅片，在硅片表面形成纳米结构，从而降低多晶硅片的反射率。湿法黑硅制绒工艺为金属催化化学腐蚀法
区间为19.8-20%，对应的组件功率为280W。为了进一步提升单晶电池效率，在电池背面增加了钝化层。通过背面钝化层的作用，电池的表面复合速率显著降低，电池的效率提升到20.8-21%，对应的组件功率
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科学家们采用了一种晶圆直接键合(direct wafer bonding)技术，将一些几微米的III-V族半导体材料转移到硅中。在等离子体被激活之后，将太阳能电池单元材料在真空中加压键合。Ⅲ-V族
半导体材料表面的原子与硅原子形成键，生成单片元件。
多结电池由镓铟磷(GaInP)、砷化镓(GaAs)以及硅(Si)这三个电池单元构成，单元间相互堆叠，以覆盖太阳光谱的吸收范围。Ⅲ-V族半导体层在
了一种晶圆直接键合(directwaferbonding)技术，将一些几微米的III-V族半导体材料转移到硅中。在等离子体被激活之后，将太阳能电池单元材料在真空中加压键合。Ⅲ-V族半导体材料表面的原子
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光伏是技术密集型产业，技术进步对降低系统成本至关重要。保利协鑫副总裁吕锦标表示，通过湿法黑硅技术处理的硅片，制成的电池效率可提升0.3%以上的光电转换率，而等离子刻蚀技术则可以提升0.5%以上的
光电转换率。将黑硅绒面的多晶硅片集成PERC技术后，可再增加1%以上，实现1+12的效果，带来更大的电池性能增益。同时他透露，金刚线切多晶，切割效率可提升40%，切割成本可降低20%，同时具有表面损伤
