表面等离子
。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。
单晶硅片
然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射
，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。
辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷，用射频电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜
背板内层并固定在基材表面。反应性氟材料在涂覆型背板中用得比较多，尤其是在等离子体增强的涂层技术中，通过固化剂将反应性氟材料牢牢地固定在背板的内层。
非反应性氟材料是指整个大分子中不含有任何可
的FFC涂覆型背板最为典型。背板采用四氟树脂为反应性氟材料，应用等离子增强的表面涂覆技术，将反应性氟材料牢牢固定在背板的内层和基材PET的表面，得到了性能优异、可靠性高的背板。经过紫外高温、高湿测试后
索比光伏网讯:PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子
产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而
硅片更快速的进行反应，实现刻蚀;另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
四
、PECVD
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的
和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。四、PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右
对Gr进行掺杂，并在表面旋涂抗反射膜，将石墨烯电池效率提高到了16.9%。此外，人们还研究了硅基“MIS-IL”太阳能电池，由于其对Si品质的要求没有传统的Si太阳能电池的要求高，使其在商业化应用方面
问题；等离子体掺杂具有掺杂浓度和掺杂类型易控等优点，但离子注入对单层TMDs的掺杂仍然是一个挑战，需要进一步地探索与研究。最后，曾祥斌教授总结道，二维材料作为电极材料尤其是透明电极材料，可以在薄膜电池中得到
，Coo增加最少，但效率与常规基本持平或略有下降。因行业对效率提升的诉求会越来越高，所以效率有下降的多晶添加剂技术被认为是过渡技术。湿法黑硅技术的基本原理是采用Au/Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面作为
阴极，硅作为阳极，同时在硅表面构成微电化学反应通道，在金属粒子下方快速刻蚀硅基底形成纳米结构。目前较为成熟的湿法黑硅技术用到20多个槽体，在一台设备上完成去损伤、挖孔、扩孔等三个主要步骤，效率提升0.2
摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。
氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高
《纳米能源》和《先进能源材料》等国际期刊上。
层状过渡金属二硫属化物纳米片具有层数可控、单层厚度超薄、二维层间通道丰富、层间表面积较大等特点，具有优异的电化学性能，在二次电池、超级电容器、电催化和
。
通过外力拓宽层间距离后，可大幅降低锂、钠、镁等离子在层间的传输阻力，从而提升这些纳米材料在离子嵌入型储能器件中的电化学性能。许俊教授介绍说，这一成果可应用在锂离子电池、钠离子电池、镁离子电池和超级电容器中，从而大幅提高储能器件性能。
激光脉冲法、等离子体刻蚀法及金属离子辅助刻蚀法等。但这些传统方法所制成的黑硅纳米陷光结构通常具有结构较小、密、深且缺陷多的特征，甚至有杂质残留，这些黑硅结构如果没有进行优化的话，将导致严重的表面复合反而
。相对于传统多晶硅绒面，多晶硅倒金字塔陷光结构对光的利用率更高，反射率更低。同时，因其倒金字塔结构特点，相对于传统黑硅结构的高表面复合，其表面复合明显降低，使得太阳能电池的效率更高，这种新型技术的发明
