表面等离子

工艺为 RCA 清洗或臭氧(O3)清洗。本环节的目的是去除机械损伤层、降低表面反射率、提高表面清洁度。 非晶硅薄膜沉积：常用的工艺包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)与热丝化学气象沉积
(HWCVD)，其中本征非晶硅薄膜是 HIT 电池表面的钝化层，沉积后需要掺杂膜层来形成发射极和背表面场。 TCO 薄膜沉积：常用的工艺是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)，沉积非晶硅薄膜后

，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其他CVD
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

of Radiation)。 加工原理为具有较高能量密度的激光束照射在被加工材料表面，材料表面吸收激光能量，温度上升，产生熔融、烧蚀、蒸发，从而达到去除表层的目的。 1.2 激光开槽作用
带电子; 2. 导带电子通过雪崩电离和焦耳加热吸收能量形成等离子体; 3. 等离子体通过电子声子耦合将能量传递给材料品格; 4. 品格被加热材料熔化、升华; 5. 物质的热扩散和声声冲击波引起

经过加速的高能粒子轰击靶材，使靶材表面的原子脱离晶格逸出沉积在衬底 表面发生反应而形成薄膜;RPD 法利用等离子体枪产生氩等离子体，氩等离子体进入生长腔后，在磁场作用下轰击 靶材，靶材升华形成蒸气

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂
硅片寿命的损伤; 2) 低压硼扩选择性掺杂技术 硼源在炉管内及硅片表面分布更加均匀，扩散后方阻均匀性好。另外沉积时间短，可将工艺时间缩短至 90 分钟以内，显著降低高温对硅片寿命的损伤; 3

调整a-Si:H膜性质来实现。实际上，a-Si:H层通常是采用PECVD方法在接近200℃温度下的纯硅烷或硅烷氢混合物中的平行板电容耦合等离子体放电进行生长的。表面钝化的最关键工艺参数似乎是氢硅烷气体
背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线

载流子复合、表面反射损失及串联电阻损失等。 然而，美国研究人员日前的最新研究发现，通过实现硅、碳基分子的能量转移，有望大幅突破硅电池理论转化效率极限。这一突破性的发现对量子计算中的信息存储、光电转换和
并将其转换为蓝光。 图：通过等离子工艺处理硅烷气体生成硅纳米晶体 将硅与之配对的有机分子是一种叫做Anthracene的碳灰，基本上是煤烟。研究成果描述了一种将硅与蒽进行化学连接的方法，产生一条

相同的原因，向澳大利亚联邦法院对晶科、隆基提起专利侵权诉讼，称专利权利要求不限于任何特定的制造方法，例如原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学沉积(PECVD)。 面对指控，隆基、晶科均持反对态度
，包括申诉韩华涉嫌专利无效。 今年6月，晶科能源和REC联合提出了对美国专利第9893215号的临时复审申请。申请人表示，由于现有技术，韩华新能源关于专利制造具有表面钝化介质双层的太阳能电池的方法的

钝化技术方面也具有重要应用。今年5月，微导在全球首次推出了ZR4000X2等离子体增强的PE-ALD设备平台以及ALD隧穿氧化硅工艺，可以在保证表面钝化的基础上达到最佳的隧穿层均匀性，确保电流收集均匀