表面等离子

有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成

点上。激光器激光轰击，在样品上产生小深坑，消耗样品让等离子体气流过样品表面，再经一导管导入等离子炬，样品在焰炬中电离，通过质谱仪可以对样品微小区域进行分析。 为了降低生产过程及硅片对实验的干扰，每类

摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。 氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高

，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。 该结构电池的优点 1、降低串联电阻，提高填充因子 2、减少载流子Auger复合，提高表面
，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。 四、湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩 特点：湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四

。6%。多晶硅电池的转换率也突破了16%。制造太阳能晶硅电池需要经过很多工艺，其中包括硅片清洗、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜和丝网印刷等。由于欧洲市场特别是德国市场的需求拉动
个过程中，多晶硅放入石英坩埚中，经过加热、融化、长晶、退火和冷却，完成一个多晶晶锭的生长过程。把单晶硅棒或多晶晶碇切割成硅片，目前基本上采用的是多线切割技术。将硅棒或硅锭经表面整形、定向、切割、研磨

、中国工程院院士、冶金法太阳能级多晶硅产业技术创新战略联盟理事长、上海普罗新能源有限公司总裁、爱国志士闻一多先生的堂侄，于2010年逝世，享年74岁。 1999年当选为中国工程院院士，长期从事等离子体表面
工程技术和界面研究，主要研究耐高温防护层和纳米多层膜电磁功能材料，电弧等离子体技术及其在表面防护上的应用、卫星回收天线耐高温隔热涂层均获1977年辽宁省重大科技成果奖; 返回地面式人造卫星、中速率遥测

等离子体物理学的早期先驱。IEEE PVSC官网显示，过去35年里，从第一篇论文《通过区域熔融结晶形成硅吸收器》(1982年)到最近关于光谱分裂实现超高效模块的光学技术研究，Harry Atwater
板。他还发表了关于太阳能电池基本效率限制的研究，并为硅和砷化镓开发了新的表面钝化处理技术。 由于引入了应变半导体激光器由于价带(空穴)有效质量降低而具有优越性能的想法，因此他被认为是光子带隙概念之父，并创造了光子晶体一词。第一个实验实现的光子带隙几何结构，有时也按他的姓氏被称为Yablonovite。

研究者通过ALD技术与纳米技术研制的黑色电池是一个不错的例子。纳米结构的制备是通过等离子体刻蚀完成的，这可以极大地削弱光线的反射。此外，ALD方式制备出恰当的钝化薄层可以使表面层的载流子复合减少
。 纳米结构的黑色电池的工作性能非常不错，实际上减少了对全光谱的反射，阿尔托大学微观和纳米系助理教授HeleSavin在报告中说。ALD方式制备的表面起到很好的表面钝化效果，黑色电池的表面复合速率和和

6wt%H3PO4中刻蚀。 得到了通孔AAO膜，接着转移到玻璃衬底上。用电子束蒸发通过AAO模板制备Ag纳米点。然后用3MNaOH溶液将AAO模板刻蚀掉，在玻璃衬底表面留下Ag纳米微粒。接着，用等离子
效应，Ag纳米点直径稍小于AAO膜的纳米点直径。根据测出的Ag纳米点直径，平均直径约70nm。玻璃衬底上Ag纳米点的吸收谱示于图3。Ag纳米点的表面等离子共振(SPR)效应可以用SPR波长确定，它与谱

。 EnSol公司此次未公开纳米粒子的成分。不过，莱斯特大学的宾斯教授在接受《日经电子》采访时介绍，纳米粒子不是(称为量子点的)GaAs等半导体粒子，而是金属粒子，还可将其表面等离子体共振(SPR)效果用于
克里斯宾斯表示，只要是光滑的表面，材料可在如玻璃窗及大楼墙壁等任意地方喷涂，使其变成太阳能电池，因此与商业电力相比，有望大幅降低发电成本。由于活性层非常薄，因此还可能实现保证透明性的发电窗玻璃