SE选择性发射极
两家公司，也是协鑫集成技术创新的最鲜明的注脚。其中，电池项目采用叠加先进的选择性发射极(SE)技术，降低表面复合，改善量子响应，提升电池转换效率约0.2%;密栅图形导入减少电子传输平均距离，提升电子收集
全称为发射极及背面 钝化电池技术，其与 BSF 电池在结构上差异不大，最大的区别在于 PERC 电池用背
面钝化膜(Al203/SiNx)取代了传统的全铝背场，增强了长波的内背反射，降低了背 面的
复合速率，从而使电池的效率提升;并且采用激光 SE
对其背面局部开孔进行电 极的制备，可大幅降低电池背面的复合电流密度。同时 PERC 电池具备双面发电结构难度低、成本低等优势，LCOE 指标
一道新能量产的主流产品，对比前面几代，它本质上有三个具有自主知识产权的核心技术支撑：首先，在电池的正面用了两种技术，一种是i-SE，也就是工业化高能量激光选择性发射极技术，能够有效的降低前表面光生载流子的
TOPCON电池，效率可达25.8%以上，包含新一代制绒，SE选择性发射极，激光诱导提效等新一代技术。产业园项目全部达产后，预计将实现年产能200亿元，亩均产值2500万元。宏润新能源将以技术创新，产品创新为
接触优化P+选择性发射极，结合AlOx+SiNx叠层复合钝化层降低载流子复合损失，背面采用超博SiOx钝化隧穿层，加上超薄的原位掺杂多晶硅层减少寄生吸收并形成钝化接触，以及优化的正背面陷光结构提高
仍有上升空间。其超高效N型TOPCon技术，通过不断升级的硅片薄片化、绒面优化、硼结和SE图形优化、Poly硅减薄和掺杂、超细栅线和浆料改进等降本增效的技术手段，预计效率提升0.5%/年，未来一两
全产业链N型TOPCon新生态已形成。我总结的三大挑战和机遇，现在看来都在慢慢的落实当中，比如说LPCVD还是PECVD?浆料部分的配合，在多晶硅减薄方面做了大量的努力选择性发射极，去年的时候SE技术在
超过50GW。TOPCon SE一次激光掺杂设备主要是利用激光能量推动硼原子在硅片内扩散，实现选择性发射极SE结构。这种技术通过在金属栅线与硅片接触区域进行重掺杂、在正面其他区域保持轻掺杂，不仅
光电转换效率的重要方式，而选择性发射极(SE) 技术有助于提高太阳电池的短波光谱响应。在薄硅太阳电池研发方面，1984 年，Tiedje等 通过数学模拟发现，采用厚度为 100 μm 硅片的
达到26.1%，再次创造了182及以上尺寸大面积N型单晶钝化接触（TOPCon）电池转化效率新纪录。公告显示，晶科能源研究院率先开发出界面缺陷修复、高透多晶硅膜以及激光选择性发射极技术（SE）基础的超
，晶硅电池的效率提升是以采用新钝化技术为特征的。TOPCon具有完美钝化原理，载流子的选择率高，接触电阻低，是目前产业升级完美技术路线。TOPCon电子选择性材料SiOx/n+ Poly-Si与空穴选择性
材料SiOx/p+ Poly-Si结合的载流子的选择性可以达到13.8-14.2，高于电子选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(n+)与空穴选择性材料a-Si：H(i)/a-Si：H(p+)结合
