氮化硅薄膜
，可以看到银浆成分的分布。我们知道，在电池片印刷之前要进行镀膜，一般镀的是氮化硅薄膜，它是一个绝缘膜，我们需要首先将绝缘膜打开，将金属浆料与半导体材料进行接触。怎么打开?我们一般使用的是铅材料，也就
薄膜组成，二者共同
形成钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空 穴复合，超薄氧化硅和重掺杂硅薄膜良好的钝化效果使得硅片表面能带产生弯曲，从
而形成场钝化效果，使
织物实现了 29.8%的光电转化效率;2022 年夏天，瑞 士洛桑高等理工学院研制出转换效率 31.25%的串联电池。叠层电池未来有望替代昂
贵的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体电池—如砷化镓、铟镓磷和氮化镓
低温非晶硅薄膜、柔性OLED显示所需低温氮化硅薄膜以及光学等其他行业所需的微电子薄膜。昶火微科致力于开发半导体硅基纳米薄膜生长工艺解决方案，是国内专注于大面积平板镀膜装备研发制造企业。公司在基于大面积
近日，国内领先的微电子薄膜工艺方案解决商昶火微科完成A轮融资，本轮融资由同威资本独家投资。据了解，昶火微科主要解决光伏异质结太阳能高效电池所需的纳米级非/微晶硅薄膜、液晶面板TFT
lcd所需的
掺杂方案。业内在探索低成本PN区掺杂工艺，并在以下几个方向有了积极的成果：
简化掺杂非晶硅薄膜的工序
降低关键设备PECVD的设备成本
采用更低成本的非晶硅沉积设备
(2)关键设备：非晶硅薄膜
沉积设备
非晶硅薄膜沉积设备，主要有板式PECVD、HWCVD和LPCVD设备。见下表：
非晶硅薄膜沉积设备比较
(来源：公开信息，普乐科技POPSOLAR整理)
LPCVD设备，是随着
很多因素，为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失，各种工艺、技术应运而生：表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。 目前
二铝和氮化硅作为背 反射器，增加长波光的吸收，同时增大P-N极间的电势差，降低电子复合，提升光电转换效率，还可以做成双面电池。随着工艺成熟，设备国产化和成本降低， 逐渐成为市场
两年多家公司进入试生产线环节 并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。
HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
,还能起到像晶硅电池上氮化硅层那样的减反作用。最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极,这就是异质结电池的典型结构。HJT 电池的结构和工艺与常规硅基太阳电池有很大的区别,总的来说, HJT
硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层， 因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。
HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅片
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。
目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主，其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外，电池转换效率受制于很多因素，为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失，各种工艺、技术应运而生：表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射
