刻蚀
布局与长远规划。破局：顺势挺进制造业“金字塔”在半导体芯片制造的复杂流程中，精密温度控制技术是确保芯片良率与性能的关键因素。从光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺，到固晶、塑封、测试等后道环节，几乎每个环节
技术鉴定，于2022年5月9日出具《火灾事故认定书》(经消火认字〔2022〕第0002号)，认定起火部位系101厂房刻蚀净化区一级洗涤塔南塔西南侧下部;起火原因系一级洗涤塔南塔西南侧下部电伴热带电气故障
侯毅等人提出了一种基于羟基化刻蚀的解决方案，可在15秒内实现氧化铟锡(ITO)的完全羟基化，并暴露丰富的未配位铟离子作为SAM的新键合位点。通过形成配位键，SAM的锚定稳定性大幅提升。此外，该方法还能
羟基化刻蚀技术：仅需15秒即可实现ITO表面的完全羟基化，显著简化传统多步预处理流程，大幅提升制备效率。多重键合增强稳定性：通过羟基化刻蚀暴露未配位铟离子，形成三齿配位键，使SAM锚定更均匀、更稳
以非离子化状态吸附于钙钛矿表面，避免传统溶剂(IPA)中因离子化导致的过度刻蚀。AR-XPS 显示，FIPA-CP 模式下 PEAI 的 C-N/FA N 比率显著低于 IPA-CP，表明
60 分钟，使用前经 0.22 μm
聚四氟乙烯(PTFE)滤膜过滤。基于一步法的正式器件制备将刻蚀后的 ITO 玻璃依次在洗涤剂、去离子水和乙醇中超声清洗。ITO 衬底经紫外臭氧(UVO)处理
，制备空穴传输层。最后，通过热蒸发在所得钙钛矿太阳能电池(PSCs)上沉积 100 nm 银电极。倒置器件制备首先，通过激光刻蚀技术对 ITO 衬底进行刻蚀。然后，将 ITO 衬底依次在洗涤剂溶液
P1、P2和P3互连，将面积为641.4 cm 2的组件串联起来。采用1064 nm激光刻蚀三道划片，GFF为97.88%。P1工艺完成后，清洗衬底，磁控溅射沉积NiOx层。通过对P1工艺的分析
)基底，其溶液制备和退火过程与小面积光伏器件一致。可拉伸模组使用沉积的聚对二甲苯膜作为基底，并采用PH1000作为透明电极，其余制备过程与柔性模块相同。激光刻蚀具体如下：1. P1(200 mm/s
PNDIT-F3N(含有不同比例的PIL-PDES);3. P2刻蚀(600 mm/s，100 kHz，10 us);4. 沉积75 nm Ag;P3(300 mm/s，100 kHz，10 us)和P4
角度360°的柔性器件，在保持26.8%光电转换效率的同时，攻克了单晶硅材料力学脆性的长期技术瓶颈。技术突破：研究团队通过介观对称性调控策略，采用湿法化学蚀刻与干法等离子体刻蚀相结合的边缘圆滑处理技术
率极低，而清洗设备和CMP设备国产化率较高，刻蚀设备和薄膜沉积设备国产化率逐步提升的特点。只是，与光伏设备领域类似，半导体设备领域亦有众多的细分龙头，比如刻蚀设备和薄膜沉积设备的北方华创，离子注入设备
，众所周知，栅线的密集有利于电流的收集，但这会带来对工艺精度的考验，必须确保p-n区精准有效隔离，避免短路。在常规工艺中，激光能量叠加刻蚀不均匀会造成这个隔离区的边界限是弯曲的，但协鑫采用微米级的图形
刻蚀精度，激光工艺的稳定性和精度都大幅度提升，实现了精确均匀地隔离区分。为何选择此时发布GPC 2.0产品?盛夏指出，混动汽车市场已经证明，市场需求和技术发展决定了每一个产品都有最优市场窗口期，光伏也
