薄膜制备
良性掩埋界面对显著提升钙钛矿太阳能电池的性能至关重要。然而，在钙钛矿薄膜沉积过程中确保掩埋界面层的完整性具有挑战性。由于钙钛矿前驱体溶液的高极性特性，大多数界面修饰材料会被溶解，从而影响器件的可
协议)。该工作为解决界面挑战提供了可扩展的策略，为可再生能源技术的进一步发展铺平了道路DLEO一、研究背景与挑战PSCs 的发展现状效率已超 26%，但理论极限超 33%，长期稳定性和大规模制备是
据国家知识产权局信息显示，常州亚玛顿股份有限公司申请一项名为“高质量钙钛矿薄膜的辅助制备方法及钙钛矿薄膜电池组件”的专利，公开号CN120239557A，申请日期为2025年04月。专利摘要显示
，本发明公开了一种高质量钙钛矿薄膜的辅助制备方法及钙钛矿薄膜电池组件，方法包括：S1、提供玻璃衬底;S2、在玻璃衬底的出光面上制备透明导电层;S3、在透明导电层上制备第一电荷传输层;S4、在第一电荷传输层
8-BO：PY-DT膜的1D线切割轮廓。(g)晶体相干长度(h)D18：L 8-BO和D18：L
8-BO：PY-DT膜在面外方向上的rDoC值(CCL)和p-pd-间距。L 8-BO：PY-DT薄膜
85.3%的初始效率。这项工作建立了一种简便而有效的策略，以同时提高无添加剂的OSC的效率和稳定性，为高性能有机光伏器件的规模化制造提供了蓝图。器件制备器件制备：ITO/PEDOT:PSS
钙钛矿层形成双重强键合，同步增强界面粘附力与电荷传输效率。同时，Sn²⁺氧化的抑制显著改善了钙钛矿薄膜的形貌与结晶度。基于该策略，柔性单结窄禁带电池实现了18.5%的能量转换效率(PCE)，并在3000
次弯曲循环后保持95%的初始效率。将其应用于单片集成柔性全钙钛矿叠层电池，最终获得24.01%的认证效率。图1 a) 引入2-BH前后锡铅钙钛矿薄膜的机理示意图。b) 2-BH与PEDOT:PSS两种
文章介绍具有宽带隙钙钛矿和Cu(In，Ga)Se
2的薄膜叠层太阳能电池有望成为具有成本效益的轻质光致发光器件。然而，由于宽带隙钙钛矿中的复合损耗和光热诱导退化，钙钛矿/Cu(In，Ga)Se
TAR
3钝化;这三个晶格组类似于晶粒，空隙代表晶粒边界。b-d，在连续120 ℃加热和1-太阳等效照明下，制备的对照(B)、PEA+(c)和TAR
3(d)钙钛矿膜的PL分布的演变。PEA+(e
NFA设计和器件性能。a，受体的分子结构。B，P2 EH，P2 EH-1V和P2 EH-2 V薄膜的吸收光谱。c.
PM_6、P_2EH、P_2EH-1V和P_2EH-2 V纯膜的能级图。d，PM
单结钙钛矿太阳能电池、钙钛矿-钙钛矿叠层电池、钙钛矿-CIGS叠层电池和钙钛矿-有机叠层电池的报告的独立认证PCE的总结。h，钙钛矿-有机叠层电池的长期MPP跟踪结果。器件制备器件制备：ITO
/ 共 SAMs 薄膜的制备示意图。论文信息论文标题：Buried Interface Engineering: a Key to Unlocking the Potential of
Self
提取，但其表征因薄膜剥离复杂而受限。SAM 作为 HTL由锚定基团、间隔基团、头基团组成，可调功函、低电阻，代表 SAM 如 MeO-2PACz、Me-4PACz，基于 SAM 的 PSC
PCE
传输与界面稳定性，推动倒置器件结构的商业化应用。3、大面积器件制备：探索 CO-BSA 等添加剂在大面积钙钛矿薄膜制备中的适用性，解决规模化生产中的均匀性和稳定性问题，提升器件的实用性。
²⁺缺陷形成更强的双位点结合。此外，掺入 CO-BSA
促进了大晶粒尺寸、高质量和低缺陷密度的钙钛矿薄膜的形成。因此，用 CO-BSA 修饰的器件实现了 26.53% 的效率(认证效率为 26.31
溶液加工中SAM层均匀性。虽然共组装或溶剂工程可改善均匀性(15,
16)，但这些方法会显著增加SAM层制备的复杂度。双自由基结构引入或者自由基掺杂引入稳定开壳层双自由基结构的新型策略展现出独特
在不同SAMs上的钙钛矿薄膜的PL光谱及(C) TRPL衰减曲线。(D) 通过UPS测试获得的不同ITO/SAM表面与钙钛矿薄膜的能级分布。(E)
SAMs在空穴传输界面作用机制示意图
ITO电极表面构筑致密均匀的薄膜仍是一个重大挑战。为了提升SAM作为空穴传输层在电极上的覆盖率，中国科学院化学研究所李永舫院士团队在前期研究基础上，将SAM
MeOF-4PACz中的柔性烷基连接
电极表面形成均匀且致密的薄膜仍是重大挑战，这也成为限制其规模化应用的瓶颈问题。而低覆盖度的HTL会导致电极与活性层间欧姆接触不良，引发大量界面缺陷。为提升以SAMs为HTL的覆盖度，需从分子结构
