薄膜制备
南京邮电大学辛颢团队在《自然·能源》发表突破性成果，提出一种基于溶液化学调控的新型策略，通过在前驱体溶液中构建铜、铟、镓多元金属互联分子网络，精准控制热分解与相变过程，有效抑制杂质生成和元素偏析。该方法采用乙酸铜等原料，利用乙酸根的双重键合能力实现组分预锚定，显著提升薄膜均匀性与相纯度。由此制备的铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池经认证达17.53%转换效率，创溶液法世界纪录；铜铟硒（CIS）器件达15.30%。值得注意的是，该成果未引入梯度带隙、碱金属掺杂等常规优化手段，仅靠前驱体分子结构创新即实现性能跃升。研究不仅推动轻质、柔性、低成本CIGS电池产业化，其溶液化学设计理念还可拓展至其他多元无机光电器件，为薄膜光伏技术降本增效提供新路径。（199字）
近日，中国科学院合肥物质院固体所王命泰研究员团队在CuInS2太阳电池研究方面取得重要进展，研究团队开发了一种基于“电子抽取界面交错互穿结构”与“硫阴离子诱导梯度相变”相结合的低温溶液法制备技术，成功制备出效率高达12.28%、开路电压高达0.83V的CuInS2薄膜太阳电池，取得了自1993年以来该领域的重要突破。然而其发展的瓶颈仍在于缺乏高效、稳定且低成本的太阳电池。
作为深红光发射体的主要候选材料，全无机CsPbI薄膜通常因晶粒融合且缺陷态多而导致深红光钙钛矿LED性能不佳。本文上海交通大学陈悦天、缪炎峰和赵一新等人报道了一种通过大规模制备实现强空间限域、性能优异的深红光发射CsPbI纳米晶薄膜。
为实现高分辨率、高均匀性与高可靠性的显示效果，需在卤化物钙钛矿单晶表面构建精细的图案化结构。该研究提出了一种针对卤化物钙钛矿单晶薄膜的生长-图案化协同制备策略（图1）。该策略不仅实现了卤化物钙钛矿单晶薄膜的大面积制备，还推动了蓝色发光阵列的快速、低成本制造。
CsPbBr等卤化物钙钛矿因其高颜色纯度、缺陷容忍性和可调带隙而成为下一代光电器件的有前途的材料。在超高真空下，使用紫外Nd：YAG激光器将通过逆温结晶合成的单晶CsPbBr靶材烧蚀到蓝宝石衬底上。在光学上，CsPbBr薄膜表现出2.36eV的直接带隙和以524nm为中心的强烈绿色发射。该工艺还有效抑制了缺乏Cs的杂质相的形成，这些杂质相通常会限制发光效率。该研究展示了一种在真空下构建高纯度卤化物钙钛矿异质结构的可控方法。
中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、刘劼玮副研究员等提出“溶剂-添加剂级联调控”（SACR）策略，通过协同调节溶剂诱导的中间相形成与添加剂主导的晶面生长动力学，实现了钙钛矿薄膜的单一取向可控生长，并揭示了晶面取向对器件性能与稳定性的决定性作用。近日，相关成果发表于《能源与环境科学》。
本研究强调了一种可扩展且具有成本效益的高性能制备钙钛矿太阳能电池和模组的途径。总之，通过引入各种添加剂，有效地控制了钙钛矿溶液的扩展和结晶行为，从而能够在常温条件下通过溶液自扩展工艺制备大面积钙钛矿薄膜。加入异丙醇显著改善了前体溶液的润湿性，促进了大面积均匀、高质量钙钛矿薄膜的形成。此外，通过优化溶液滴加方法，我们成功制备了均匀的大面积钙钛矿薄膜。
溶液法制备的钙钛矿太阳能电池具有大规模生产的巨大潜力，但制备大面积高结晶度的钙钛矿薄膜仍是一个主要挑战。功能性氟基团与钙钛矿物种的协同配位作用限制了复杂中间相的形成，并促进了具有高结晶度和高相纯度的空间定向钙钛矿薄膜的形成。
金属卤化物钙钛矿薄膜的制备目前严重依赖反溶剂的使用。本研究提出了一种真空淬火结合晶体生长调节剂的方法，该方法无需反溶剂和二甲基亚砜，通过形成含非晶态络合物的中间膜，实现了对锡钙钛矿晶体生长的调控。大面积制备与模块化应用：实现了最大7.5×7.5cm的均匀锡钙钛矿薄膜制备，并成功构建了活性面积为21.6cm的七电池模块，展示了其良好的可扩展性与产业化潜力。
尹志刚教授等人近期开发出氯化锌掺杂新型柔性聚电解质杂化介电薄膜材料，并用于设计和制造多级非易失性低电压柔性有机场效应晶体管存储器。这一创新研究成果，展示了新型柔性聚电解质杂化介电材料及其低功耗OFET存储器在信息感知、存储与计算领域的诱人应用潜力。通过调节栅极电压，成功调控新型聚电解质杂化介电薄膜中的离子迁移能力，从而赋予柔性OFET存储器出色的存储能力。
