薄膜制备

能级排列，并抑制钙钛矿表面的非辐射复合。基于该策略，涂布制备的带隙1.67 eV钙钛矿太阳能电池实现了22.0%的功率转换效率。这一方法有望在突破现有性能瓶颈、推动钙钛矿太阳能电池逼近理论效率极限
处理的钙钛矿薄膜的Pb 4f和g) I 3d X射线光电子能谱。钙钛矿表面不同吸附过程的示意图。钙钛矿薄膜特性表征。开尔文探针力显微镜(KPFM)表面电势图像：(a) 对照组，(b) 2AN处理

文章介绍所有钙钛矿叠层太阳能电池(PTSC)都有望克服单结钙钛矿太阳能电池(PSC)的肖克利-奎塞尔极限。然而，由于广泛的薄膜缺陷、界面退化和相分离，宽带隙(WBG)子电池会遭受较大的光电压损失
)NiOx表面H1100二聚体的DFT计算模式，以及(c)相应的吸附能。(d，e)DMF冲洗后，对照和PMDA改性的NiOx薄膜的P元素的EDX图谱。(f)DMF冲洗后对照和PMDA改性NiOx薄膜的覆盖

负电荷的程度。b) Control-pero、MorHI-pero、PyHI-pero和ImHI-pero薄膜的UPS光谱中的次级电子截止区域。c) Control-pero
、MorHI-pero、PyHI-pero和ImHI-pero薄膜的UPS光谱的起始区域。d) 通过UPS观察到的Control-pero、MorHI-pero、PyHI-pero和ImHI-pero薄膜的能量偏移

Popper(RP)锡钙钛矿太阳能电池，创下了锡钙钛矿太阳能电池氧稳定性的记录。成核层的形成过程包括洗掉制备的钙钛矿薄膜并将残留物退火到衬底上，从而产生用于钙钛矿薄膜制造的新衬底。这种成核层可以将随后

抑制SnO2与钙钛矿界面的缺陷对于制备具有商业化所需寿命和效率的大面积正式钙钛矿太阳能电池至关重要。鉴于此，西安交通大学王栋东课题组在期刊《Angew》上发文“Employment
相互作用不仅提高了SnO2的电子迁移率，还有利于更大晶粒尺寸钙钛矿薄膜的形成。此外，它们还可以抑制过量PbI2和非光活性δ相的生成，从而抑制陷阱辅助非辐射复合。因此，CIT的加入有助于在钙钛矿太阳能电池

材料的开发：研究团队设计并合成了PhPAPy，通过化学合成方法实现了该材料的制备，并对其化学结构进行了表征。分子动力学模拟揭示机理：通过从头算分子动力学(AIMD)模拟，研究团队揭示了PhPAPy分子在
ITO基底上涂层的示意图。图2.(a)ITO上P元素的XPS图，其中P元素的分布表明了SAM的均匀性。(b)4PACz和PhPAPy薄膜的O 1s XPS谱图。(c)4PACz和PhPAPy SAM在

：钙钛矿薄膜的性质。PyAA、PyAA Br、PyAA Me、PyAA MeO和ITO上钙钛矿薄膜的XRD图。b沉积在不同SAM上的钙钛矿薄膜的SEM图像。比例尺为400 nm。c沉积在不同SAM上

Assisted Coating)技术制备活性层是一种新兴的、具有潜力的薄膜制备方法，有助于实现大面积、均匀的薄膜沉积。2，性能提升：通过优化涂覆工艺和材料配方，实现了较高的光电转换效率(PCE)，与此同时也

)阳离子的新型1D钙钛矿，它与PbI2和3D钙钛矿表现出强大的化学相互作用，能够制备出高质量的混合维钙钛矿薄膜。本文要点1) 得益于1D钙钛矿较低的形成能垒，它们可以优先形成并充当晶种，以优化形态和

钙钛矿光伏技术的商业化进程取决于从实验室规模制备向工业化规模生产的成功转型。在全印刷非反射背电极钙钛矿太阳能电池中，一个关键挑战是沉积高质量、厚度超过一微米的钙钛矿层以最小化因光吸收不完全导致的
光电流损失。然而，基底/钙钛矿界面处形成的孔洞阻碍了此类厚层的制备。相场模拟研究表明，底部空隙源于干燥过程中液相-气相界面纳米晶体聚集所驱动的残留溶剂捕获。2025年5月14日，埃尔朗根-纽伦堡大学