薄膜制备
方式在NiOx表面构建CoPc中间层：CoPcevap：通过热蒸发方法制备的薄膜;CoPcnws：通过温度梯度物理气相沉积(TG-PVD)方法形成的纳米线结构。通过比较三种HTLs(纯NiOx、NiOx
/CoPcevap、NiOx/CoPcnws)对电池性能的影响，研究者系统评估了双层结构对电荷传输、界面稳定性和器件整体性能的作用机制。关键实验与结果表面形貌与晶体结构：CoPc薄膜平整致密，可有
钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低
结果表明，合成的CsPbI3量子点缺陷密度降低，PLQY提高，载流子传输能力增强，基于该量子点制备的LED和太阳能电池性能显著提升，分别达到28.71%的最大外量子效率和16.20%的最高功率转换效率
：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
。研究发现，PDINN 和 CuPc 之间的氢键和 π-π 相互作用可以解决 CuPc 用作 CIL 的溶剂加工性问题。在 PDINN
层中掺入 CuPc 可改善薄膜形态、提高导电性并降低阴极功函数
作为客体材料，突破了二萘嵌苯二酰亚胺CIL的限制，通过与二萘嵌苯二酰亚胺CIL的分子间氢键和π-π相互作用，解决了酞菁铜的醇-溶剂可加工性问题，实现了对二萘嵌苯二酰亚胺CIL的功能化，薄膜形貌、电荷传输
传统铅基2D钙钛矿因强量子限域效应通常具有较大带隙(1.6
eV)，限制了其在近红外(NIR)波段的应用。鉴于此，重庆文理学院李璐、程江和上海大学王生浩等人通过热调控法制备了高结晶性、厚吸收层且
方法通过基底预热(50-100°C)优化二维钙钛矿(PEA₂FA₄Pb₅I₁₆)的结晶过程，显著提升薄膜的结晶度和厚度(最高达741
nm)，同时抑制低维相(n=2)的形成。该方法首次实现了纯铅基
氯仿溶液中的UV-Vis吸收光谱; B)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3薄膜的UV-Vis吸收光谱;
c)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的能级分布图; d)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的
，在实现高PCE的同时，该研究为后续开发更高性能、更低电压损耗的OSC提供了一种可行的方法。器件制备器件制备：glass/ITO/2PACZ/active layer/PDINN/Ag1. 洗干净的
在推动钙钛矿太阳能电池产业化的征程中，如何制备高质量的大颗粒、低缺陷的宽带隙钙钛矿薄膜，一直是效率提升和稳定性改善的核心难题。近日，研究团队提出了一种简便有效的溶剂气相熏蒸策略(DMSO
fumigation)，在不更改前驱体配方的情况下，显著改善了宽带隙钙钛矿的结晶过程，制备出高质量薄膜，成功实现了30.9%的钙钛矿/硅(TOPCon)叠层电池转换效率(认证效率30.83%)，迈出了产业化
TiO2因其合适的能带结构、简便的制备工艺和高温稳定性而被广泛用作钙钛矿太阳能电池中的电子传输层(ETL)。与其他方法相比，化学浴沉积(CBD)法能够在低温条件下制备均匀的TiO2薄膜。然而，在沉积
新能源与清华大学于2025年4月申请了“一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN120166843A，申请日期为2025年04月。专利摘要显示，该发明公开了一种宽带隙钙钛矿太阳能电池
及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，宽带隙钙钛矿太阳能电池包括宽带隙钙钛矿层与双钝化层;双钝化层位于宽带隙钙钛矿层上方;双钝化层包括聚(2‑乙基‑2‑恶唑啉)与苯乙胺盐。双钝化层的制备方法，包括以下
析了绒面晶硅上制备钙钛矿薄膜的三条技术路线，主流钙钛矿制备方法与面临的问题，并重点解析了钙钛矿晶硅叠层技术量产的绒面调控和硅片线痕等要点。欧阳子强调，晶澳在晶硅技术上的积累，为叠层技术提供了良好的基础
