缺陷

表征：紫外-可见吸收(UV-Vis)、光致发光(PL)、时间分辨PL(TRPL)，研究光吸收、带隙、缺陷态、载流子寿命和复合动力学电学表征：空间电荷限制电流(SCLC)测陷阱密度和迁移率，电化学阻抗谱

中，以抑制这些副反应链，并有效减轻阳离子和碘离子(I⁻)的有害降解。Th的协同效应使其能够与未配位的Pb²⁺结合，调节结晶过程，从而实现低缺陷密度的高质量薄膜。因此，基于Th的前驱体展现出更长的存储
用，作为有效的缺陷钝化剂，调节了钙钛矿结晶过程中的成核动力学。因此，使用掺杂Th的前驱体制备的器件在老化30天后展现出优异的重现性，且PbI₂残留显著减少。优化后的器件采用常规的n-i-p结构，实现了

不稳定的核心因素。本研究创新性地提出基于主客体相互作用的杯芳烃超分子策略，通过同步抑制多种可移动化学组分的迁移，实现功能层的协同稳定化。引入4-叔丁基杯芳烃(C8A)后，界面缺陷得到钝化，有效抑制了陷阱
钝化钙钛矿表面缺陷的作用机制示意图。c) C8A促进空穴传输层p型掺杂的加速机理图示。光伏性能与长期稳定性研究。a) 基于Rb0.02(FA0.95Cs0.05

　　高性能钙钛矿太阳能电池需要协同钝化策略来解决电子传输层(ETL)/钙钛矿界面的缺陷，这些缺陷会影响效率和长期稳定性。鉴于此，浙江大学刘鹏&高翔院士&浙江工业大学潘军&西湖大学王睿于
盐酸盐(CEA)、双(2-氯乙基)胺盐酸盐(BCEA)和三(2-氯乙基)胺盐酸盐(TCEA)——作为双功能分子桥，可同时钝化ETL(SnO2)和钙钛矿界面的缺陷，并控制结晶过程。密度泛函理论计算表明

隙半导体，其电子态扩展性差，难以与有机分子Tc的波函数充分重叠。　　界面缺陷导致猝灭：硅表面存在大量悬挂键和缺陷，会捕获激子并引发非辐射复合。　　能量损失：若Dexter转移效率低，激子可能在界面处以
的缺陷，防止转移过来的电荷载流子在这些缺陷处快速复合而损失。隧穿： 超薄厚度允许电荷量子隧穿通过，实现ZnPc与硅之间的电荷转移。顺序电荷转移机制(核心突破)：第一步(电子转移)： 位于

隐患排查，提供必要的技术服务，配合政府部门积极推动用户及时消除设备隐患缺陷、配足用好自备应急电源。做好民生用电保障抢修服务。涉及民生用电的，出现因用户抢修力量不足、抢修主体缺失等情况导致群众

文章介绍钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的效率得到了显着提高，但不平衡的 δ 到 α 相结晶转变动力学和缺陷仍然是器件可重复性和稳定性的重大障碍。基于此，中科院化学所宋延林等人利用草酸胍 (GAOA
°C、80 °C、100 °C、120 °C).(i)XRD峰位置随温度的演变。图3. GAOA在减少钙钛矿缺陷中的功能。(a)对照和(d)目标钙钛矿膜的均方根粗糙度(RMS)分析。从KPFM获得

CBD合成通常通过两种相互竞争的成核途径进行：逐簇聚集和逐离子生长。不幸的是，逐簇途径通常占主导地位，导致异相沉积，其特征是表面覆盖不完全，并形成不利于电荷传输和复合动力学的缺陷。新方法能够通过抑制逐
配位，稳定它们并调节成核动力学。这种分子水平的控制优先引导生长方向直接逐个离子沉积到基材上，避免了影响薄膜完整性的胶体SnO₂簇的形成。这种富含配体的环境还提供表面缺陷的生化钝化，这些缺陷在最终薄膜中