缺陷
高性能钙钛矿太阳能电池需要协同钝化策略来解决电子传输层(ETL)/钙钛矿界面的缺陷，这些缺陷会影响效率和长期稳定性。鉴于此，浙江大学刘鹏&高翔院士&浙江工业大学潘军&西湖大学王睿于
盐酸盐(CEA)、双(2-氯乙基)胺盐酸盐(BCEA)和三(2-氯乙基)胺盐酸盐(TCEA)——作为双功能分子桥，可同时钝化ETL(SnO2)和钙钛矿界面的缺陷，并控制结晶过程。密度泛函理论计算表明
隙半导体，其电子态扩展性差，难以与有机分子Tc的波函数充分重叠。 界面缺陷导致猝灭：硅表面存在大量悬挂键和缺陷，会捕获激子并引发非辐射复合。 能量损失：若Dexter转移效率低，激子可能在界面处以
的缺陷，防止转移过来的电荷载流子在这些缺陷处快速复合而损失。隧穿：
超薄厚度允许电荷量子隧穿通过，实现ZnPc与硅之间的电荷转移。顺序电荷转移机制(核心突破)：第一步(电子转移)：
位于
隐患排查，提供必要的技术服务，配合政府部门积极推动用户及时消除设备隐患缺陷、配足用好自备应急电源。做好民生用电保障抢修服务。涉及民生用电的，出现因用户抢修力量不足、抢修主体缺失等情况导致群众
文章介绍钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的效率得到了显着提高，但不平衡的 δ 到 α 相结晶转变动力学和缺陷仍然是器件可重复性和稳定性的重大障碍。基于此，中科院化学所宋延林等人利用草酸胍 (GAOA
°C、80 °C、100 °C、120 °C).(i)XRD峰位置随温度的演变。图3.
GAOA在减少钙钛矿缺陷中的功能。(a)对照和(d)目标钙钛矿膜的均方根粗糙度(RMS)分析。从KPFM获得
CBD合成通常通过两种相互竞争的成核途径进行：逐簇聚集和逐离子生长。不幸的是，逐簇途径通常占主导地位，导致异相沉积，其特征是表面覆盖不完全，并形成不利于电荷传输和复合动力学的缺陷。新方法能够通过抑制逐
配位，稳定它们并调节成核动力学。这种分子水平的控制优先引导生长方向直接逐个离子沉积到基材上，避免了影响薄膜完整性的胶体SnO₂簇的形成。这种富含配体的环境还提供表面缺陷的生化钝化，这些缺陷在最终薄膜中
能级结构。PO 通过氢键作用与 Pb-I
框架相互作用，且吡啶环与肟基(-NOH)之间的配位作用提供了较高的电子亲和力，从而提高了钙钛矿的电离能。肟基与吡啶环中的氮还可作为界面缺陷钝化单元
、碘原子的吸附能;e) 2-PO、3-PO和4-PO分子与含碘空位缺陷的钙钛矿结合模型;f)
含碘空位缺陷的钙钛矿及其分别与2-PO、3-PO和4-PO相互作用后的态密度(DOS)图。图2. PO
”，在目前使用的各种 ETL
材料中，SnO₂因其独特的优势而脱颖而出，包括低温制备、快速电子提取能力以及其导带边缘与常用钙钛矿配方的优异能量匹配。然而，目前使用的
SnO₂层含有表面缺陷，如羟基
和氧空位，这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长，降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
针孔形成和增强大面积钙钛矿薄膜的均匀性，显著改善了WBG钙钛矿的质量。DOPS与WBG钙钛矿的相互作用有效调控了结晶过程并钝化了未配位的Pb²⁺缺陷，从而制备出均匀且高质量的WBG钙钛矿薄膜，抑制了非
27.82%(1.0 cm²)和23.41%(20.07
cm²)的优异效率。这些发现为通过表面活性剂的协同效应(结晶调控和缺陷钝化)提升大面积均匀性提供了有效策略。研究亮点1、新型表面活性剂DOPS的
形成具有低晶界缺陷的单片钙钛矿晶粒对于实现高性能钙钛矿太阳能电池至关重要。在底面引入二维(2D)钙钛矿晶种是一种简便易行的方法，可诱导向上定向结晶并形成单片晶粒。然而，二维钙钛矿中的大分子有机阳离子
Upward Crystallization for
Perovskite Solar
Cells”。研究成果证明在钙钛矿底面引入多齿焦磷酸钾(PPH)可以诱导形成缺陷较少的单片钙钛矿晶粒。研究发现
大于其他类型的电池，如图 2 所示。钙钛矿大面积电池，其效率损失严重之源在哪里呢?目前学界认知主要立足两点：(1)
钙钛矿薄膜的大面积制备工艺不成熟、难度较大。面积越大的薄膜，膜内缺陷越多、均匀性越
)。其中，大面积、少缺陷、且膜厚均匀的钙钛矿薄膜制备，是保证良率、增大面积、简化生产控制流程，从而跨越上述挑战的重中之重。3. 流变学效应既然大尺寸器件效率低、制备难，那就去解决即可。说起来容易
