缺陷

全无机 CsPbI₃ 钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而，钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于
界面，同时钝化两层中的缺陷，从而抑制界面复合损失。此外，这种改性可以降低 CsPbI₃ 晶面的表面能，促进钙钛矿结晶，并得到结晶度更高的薄膜。为了增强 PFAT 与钙钛矿之间的相互作用，合成

、华东理工研究的核心突破：从“软晶格”到“刚性铠甲”1. 光机械诱导分解效应的发现传统研究多聚焦于水氧、热、电等外部因素对钙钛矿稳定性的影响，而侯宇团队首次提出钙钛矿内部动态局域应力是导致晶界缺陷的关键

钙钛矿表面均匀钝化，抑制缺陷形成能量和离子扩散。提取的太阳能组件的降解活化能为0.61电子伏特，与大多数报道的稳定电池相当，这表明组件的稳定性并不比小面积电池差，并且缩小了电池与组件之间的稳定性差距
，这对电池的长期户外运行稳定性构成了重大挑战。基于此，南京航空航天大学赵晓明、郭万林院士团队通过气相沉积多齿配体隔离钙钛矿表面的缺陷八面体来解决这个问题。表面八面体隔离抑制了离子迁移到电荷传输层，减少

SAM 中以形成共 SAM，从而提高均一性并减轻NiOx 缺陷表面。同时，离子液体(IL)单体 1-烯丙基-3-乙烯基咪唑鎓双((三氟甲基)磺酰基)酰亚胺(AVMTF)2)掺入钙钛矿前驱体中。ILs
，提高了均匀性并减少了NiO表面的缺陷。3.离子液体单体聚合：将离子液体(IL)单体1-烯丙基-3-乙烯基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺(AVMTF2)引入钙钛矿前驱体中，在退火过程中通过硫醇端基进行原位聚合

显著优势●提升薄膜质量与器件稳定性傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明，与真空闪蒸法相比，LAD处理的钙钛矿薄膜中残留溶剂(如DMF和DMSO)含量显著降低，薄膜缺陷密度更低。在紫外光老化测试中，经

分布更为均匀，压力均匀性提升30%;最重要的是，平板替代了硅胶板，节省了一大笔耗材支出。传统胶板具有许多缺陷：工作时非常热，室内常年50多度;维护周期短，常常三个月就要换一批;费用高，平均每台设备就要

钙钛矿稳定性：缺陷钝化：APAB的-COOH基团钝化Pb²⁺缺陷，-C(NH₂)₂⁺基团与I⁻/SCN⁻形成氢键，抑制碘空位和非辐射复合。相变抑制：在高温(100-150°C)下维持α-FAPbI₃相

使用的p型非晶硅(p-a-Si:H)存在两大缺陷：导电性差：电阻高，电流传输“堵车”;活化能高：载流子跃迁困难，能量损失大。这导致电池的接触电阻率(ρc)居高不下，填充因子(FF)和效率难以突破。二

，从而消除了印刷薄膜中的缺陷。所得准二维钙钛矿薄膜表现出令人印象深刻的 37.40% 的光致发光量子产率以及优异的发光稳定性，使其成为各种光电子应用的有前途的候选材料。总体而言，本研究突出了 MOF
PEA⁺的 π-π 相互作用促进了异质成核，形成 MOF-PEA⁺簇作为成核中心，优先形成低 n 相并促进向高 n 相的能量转移，同时通过插入钙钛矿有机层扩大无机层间距，释放刚性应力，减少缺陷和