缺陷
”，在目前使用的各种 ETL
材料中，SnO₂因其独特的优势而脱颖而出，包括低温制备、快速电子提取能力以及其导带边缘与常用钙钛矿配方的优异能量匹配。然而，目前使用的
SnO₂层含有表面缺陷，如羟基
和氧空位，这些缺陷会在 n-i-p 型 PSCs
的溶液处理过程中阻碍高结晶度和无缺陷钙钛矿薄膜的理想生长，降低其功率转换效率(PCE)和稳定性。本文在
SnO₂薄膜上引入了多巴胺盐酸盐
针孔形成和增强大面积钙钛矿薄膜的均匀性，显著改善了WBG钙钛矿的质量。DOPS与WBG钙钛矿的相互作用有效调控了结晶过程并钝化了未配位的Pb²⁺缺陷，从而制备出均匀且高质量的WBG钙钛矿薄膜，抑制了非
27.82%(1.0 cm²)和23.41%(20.07
cm²)的优异效率。这些发现为通过表面活性剂的协同效应(结晶调控和缺陷钝化)提升大面积均匀性提供了有效策略。研究亮点1、新型表面活性剂DOPS的
形成具有低晶界缺陷的单片钙钛矿晶粒对于实现高性能钙钛矿太阳能电池至关重要。在底面引入二维(2D)钙钛矿晶种是一种简便易行的方法，可诱导向上定向结晶并形成单片晶粒。然而，二维钙钛矿中的大分子有机阳离子
Upward Crystallization for
Perovskite Solar
Cells”。研究成果证明在钙钛矿底面引入多齿焦磷酸钾(PPH)可以诱导形成缺陷较少的单片钙钛矿晶粒。研究发现
大于其他类型的电池，如图 2 所示。钙钛矿大面积电池，其效率损失严重之源在哪里呢?目前学界认知主要立足两点：(1)
钙钛矿薄膜的大面积制备工艺不成熟、难度较大。面积越大的薄膜，膜内缺陷越多、均匀性越
)。其中，大面积、少缺陷、且膜厚均匀的钙钛矿薄膜制备，是保证良率、增大面积、简化生产控制流程，从而跨越上述挑战的重中之重。3. 流变学效应既然大尺寸器件效率低、制备难，那就去解决即可。说起来容易
全无机 CsPbI₃
钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而，钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于
界面，同时钝化两层中的缺陷，从而抑制界面复合损失。此外，这种改性可以降低 CsPbI₃
晶面的表面能，促进钙钛矿结晶，并得到结晶度更高的薄膜。为了增强 PFAT 与钙钛矿之间的相互作用，合成
、华东理工研究的核心突破：从“软晶格”到“刚性铠甲”1. 光机械诱导分解效应的发现传统研究多聚焦于水氧、热、电等外部因素对钙钛矿稳定性的影响，而侯宇团队首次提出钙钛矿内部动态局域应力是导致晶界缺陷的关键
钙钛矿表面均匀钝化，抑制缺陷形成能量和离子扩散。提取的太阳能组件的降解活化能为0.61电子伏特，与大多数报道的稳定电池相当，这表明组件的稳定性并不比小面积电池差，并且缩小了电池与组件之间的稳定性差距
，这对电池的长期户外运行稳定性构成了重大挑战。基于此，南京航空航天大学赵晓明、郭万林院士团队通过气相沉积多齿配体隔离钙钛矿表面的缺陷八面体来解决这个问题。表面八面体隔离抑制了离子迁移到电荷传输层，减少
SAM 中以形成共 SAM，从而提高均一性并减轻NiOx 缺陷表面。同时，离子液体(IL)单体
1-烯丙基-3-乙烯基咪唑鎓双((三氟甲基)磺酰基)酰亚胺(AVMTF)2)掺入钙钛矿前驱体中。ILs
，提高了均匀性并减少了NiO表面的缺陷。3.离子液体单体聚合：将离子液体(IL)单体1-烯丙基-3-乙烯基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺(AVMTF2)引入钙钛矿前驱体中，在退火过程中通过硫醇端基进行原位聚合
显著优势●提升薄膜质量与器件稳定性傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明，与真空闪蒸法相比，LAD处理的钙钛矿薄膜中残留溶剂(如DMF和DMSO)含量显著降低，薄膜缺陷密度更低。在紫外光老化测试中，经
分布更为均匀，压力均匀性提升30%;最重要的是，平板替代了硅胶板，节省了一大笔耗材支出。传统胶板具有许多缺陷：工作时非常热，室内常年50多度;维护周期短，常常三个月就要换一批;费用高，平均每台设备就要
