缺陷

紫外线稳定性和空穴传输能力。此外，噻吩基团与钙钛矿中的Pb²⁺离子配位，增强了钙钛矿在空穴选择性分子上的结合力，显著提高了钙钛矿薄膜的结晶度并降低了缺陷密度，从而抑制了其在紫外线照射下的降解。基于
分子的紫外线稳定性和空穴传输能力。界面优化：噻吩基团与钙钛矿中的Pb²⁺离子配位，增强界面结合力，改善钙钛矿薄膜结晶度并减少缺陷。高效稳定器件：基于Me-TPCP的钙钛矿太阳能电池效率高达25.62

在推动钙钛矿太阳能电池产业化的征程中，如何制备高质量的大颗粒、低缺陷的宽带隙钙钛矿薄膜，一直是效率提升和稳定性改善的核心难题。近日，研究团队提出了一种简便有效的溶剂气相熏蒸策略(DMSO
、缺陷多，器件的开路电压(VOC)损失大、稳定性差。虽然已有研究尝试通过添加Lewis碱或改变溶剂类型来调控晶化过程，但成本高、操作复杂，难以规模推广。二、实验方法概述本研究采用DMSO气相熏蒸的方法，在

钙钛矿太阳能电池在过去十年中发展迅速。为了制造高效的钙钛矿太阳能电池，人们致力于通过溶剂、反溶剂和添加剂工程来调节钙钛矿活性层的成核和结晶过程。然而，仍然需要有效的策略来调节钙钛矿成核和晶体生长以及表面和晶界的原位钝化缺陷。基于此，中科院化学所孟磊和李永舫院士团队将 1,4-丁烷磺内酯作为第二溶剂引入钙钛矿前驱体溶液中，以调节 α-FAPbI3 层的成核。1,4-丁烷磺内酯与溶质之间的相互作用降低了成核密度并抑制了次级成核。同时，1,4-丁烷磺内酯在退火过程中的开环转化产生 4-氯丁烷-1-磺酸盐和 4-碘丁烷-1-磺酸盐，有效地钝化了钙钛矿中的表面缺陷。

钙钛矿太阳能电池在过去十年中发展迅速。为了制备高效钙钛矿太阳能电池，研究者通过溶剂、反溶剂和添加剂工程调控钙钛矿活性层的成核和结晶过程。BuSO与溶质的相互作用降低了成核密度并抑制二次成核。最终，处理后的n-i-p平面钙钛矿太阳能电池实现了26.5%的功率转换效率，并具有更高的长期稳定性。研究亮点高效钝化缺陷：通过1,4-丁烷磺内酯的开环反应，原位生成钝化剂，有效钝化钙钛矿表面和晶界缺陷，显著提升器件性能。

钙钛矿半导体CsPbI因其合适的带隙，在太阳能电池应用方面极具前景。在包括CsPbI在内的一系列钙钛矿半导体中已发现了Ruddlesden-Popper缺陷。鉴于此，2025年6月16日莫纳什大学JoanneEtheridge等于AM发文，在气相沉积的CsPbI薄膜中，随着Cs过量的增加，RP缺陷的普遍程度也增加，同时观察到了更好的结构稳定性，但光物理性质较差。因此，有人提出，增加RP平面同时减少RP转折点为提高相稳定性和光物理性能提供了一个突破点。

文章介绍表面缺陷钝化对于提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性至关重要。然而，其可重复性和普适性尚未得到充分探索，限制了大规模生产的实现。基于此，西湖大学王睿等人提出了一种基于氟代异丙醇的钝化策略，仅
通过一层低维钙钛矿即可实现表面缺陷的完全钝化，且不会干扰电荷传输。氟代异丙醇降低了钝化剂分子与钙钛矿的反应性，并允许使用高浓度的钝化剂，从而确保缺陷的完全钝化。随后，使用氟代异丙醇和异丙醇的混合溶剂进行

了更深入的了解，我们将利用这些见解来改进钙钛矿成分，旨在提高我们设备的运行稳定性。计划进一步研究界面钝化，以最大限度地减少缺陷诱导的非辐射复合并扩展稳定性，以及可扩展的湿化学方法、喷墨打印和喷涂工艺。研究团队还包括来自弗莱堡大学(University of Freiburg)的研究人员。