缺陷

钙钛矿稳定性：缺陷钝化：APAB的-COOH基团钝化Pb²⁺缺陷，-C(NH₂)₂⁺基团与I⁻/SCN⁻形成氢键，抑制碘空位和非辐射复合。相变抑制：在高温(100-150°C)下维持α-FAPbI₃相

使用的p型非晶硅(p-a-Si:H)存在两大缺陷：导电性差：电阻高，电流传输“堵车”;活化能高：载流子跃迁困难，能量损失大。这导致电池的接触电阻率(ρc)居高不下，填充因子(FF)和效率难以突破。二

，从而消除了印刷薄膜中的缺陷。所得准二维钙钛矿薄膜表现出令人印象深刻的 37.40% 的光致发光量子产率以及优异的发光稳定性，使其成为各种光电子应用的有前途的候选材料。总体而言，本研究突出了 MOF
PEA⁺的 π-π 相互作用促进了异质成核，形成 MOF-PEA⁺簇作为成核中心，优先形成低 n 相并促进向高 n 相的能量转移，同时通过插入钙钛矿有机层扩大无机层间距，释放刚性应力，减少缺陷和

电子注入效率，还改善了结晶质量并减少了缺陷密度。最终，优化后的器件实现了高达 26.25% 的最大外量子效率 (EQE)，亮度也提高了三倍。该研究为形态控制提供了一种简单且可扩展的方法，为高性能

叠层光伏技术有望突破单结太阳能电池的效率极限，但子电池埋底界面的结构缺陷和化学反应严重制约其性能。本研究牛津大学Henry J. Snaith、华中科技大学刘宗豪和陈炜等人设计了一种巯基功能化的
介孔二氧化硅层(MSN-SH)作为埋底界面的超结构，有效调控锡铅(Sn-Pb)钙钛矿薄膜的结晶过程，消除纳米孔隙，钝化缺陷并抑制Sn(II)的氧化，显著减少载流子损失并提升器件稳定性。基于此，锡铅

摘要宽带隙(WBG)子电池因薄膜缺陷广泛、界面退化和相分离等问题，存在较大的光电压损失和器件不稳定性。在此，华南理工大学严克友教授团队和香港科技大学颜河教授团队通过引入聚(咔唑膦酸)的聚合物多齿锚定

BA-8FH层缺陷间距(Ld)的模拟关系。图4. 瞬态表面光电压(tr-SPV)与时间分辨荧光(TRPL)分析。(a) 515nm激光激发下(实线125kHz/虚线1kHz)不同结构的tr-SPV

36MeOCzC4PA)与钙钛矿层内的金属离子之间形成的强化学键，这种HTL减少了阻碍电荷传输的界面缺陷并稳定了晶体结构。这些分子的自组装特性确保了大面积均匀的超薄涂层，简化了制造工艺并促进了商业化的

TEMPO-FAPI3 PSCs。TEMPO添加剂可促进增强的结晶动力学，产生具有更高均匀性和更低缺陷密度的薄膜，这已通过光致发光(PL)、轮廓测定和正电子湮没寿命光谱(PALS)得到证实。根据ISOS
协议进行的稳定性测试表明，TEMPO-FAPI3器件在4,296小时的作和热应力后仍保留了超过90%的初始效率，显示出快速加工技术前所未有的使用寿命。TEMPO对钝化晶界和表面缺陷的主要影响表现为显著