离子刻蚀设备
射频激发受热的稀薄气体进行辉光放电形成等离子体，通过两片相对应的石墨片加相反的交变电压使等离子在极板间加速撞击气体，运动到硅片表面完成镀膜过程。
三、镀膜的相关介绍
1、机台照片与工作
原理图
2、等离子体
所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子
高效多晶硅PERC电池的工艺流程;同时还给出了非PERC电池的工艺流程用于对比。在完成CSI具有知识产权的最先进 黑硅制绒( 金属催化化学刻蚀-MCCE)步骤之后，将电池放到管式炉中进行低压
(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背 面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学 气相沉积
：管式 PECVD、管式高温扩散炉、单多晶制绒设备、单多晶清洗设备、硅芯硅料硅片清洗设备、等离子体刻蚀设备、链式湿法刻蚀设备、自动化设备等。 芯能科技： 公司主营业务为多晶硅和单晶硅材料制品
PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售，为太阳能光伏电池生产企业提供高转换效率大产能整体解决方案。 在行业潮起潮落时
通过丝网印刷设备将浆料印刷至电池表面，浆料中的金属颗粒在高温条件下，表面熔融相互连接并刻蚀硅板，形成可靠地黏结和电学接触。目前，工业界普遍采用丝网印刷技术在电池基底材料上印刷电池栅线即金属电极。丝网印刷
技术相对其他技术而言，首先其设备结构相对简单、价廉、易于操作;其次印刷工艺成熟，生产效率高，容易实现大规模的自动化生产，在一定程度上可以节约时间和成本。但丝网印刷也存在几点不足：一是印刷过程中丝网与
工艺技术的核心，要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压
化学气相沉积技术(APCVD)和 离子束辅助沉积技术制备a-Si:H也有研究。目前，HIT电池的电极目前主要采用丝网印刷低温Ag导电浆实现的，降低电极的丝网印刷电阻和细化金属线是实现太阳能电池低成本
% ;第二阶段是加入热氧化工艺，并优化刻蚀、扩散匹配，效率提升至 21.7%;第三阶段，即将规模推广的 SE 技术效率将提升至量产 22% 。
无论处于何种工艺阶段，核心的背钝化膜层的生长设备选型十分重要
叠层膜设备。而对于氧化铝镀膜设备根据其生长原理不同有两种，一种是以原子层沉积技术生长氧化铝膜，另外一种则是以PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方式获得氧化铝膜。采用原子层沉积技术生长氧化铝膜量产
载流子复合，提高表面钝化效果;
(3)增强电池短波光谱响应，提高短路电流和开路电压。
目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光PSG掺杂法由于
其工艺过程简单，从图1可以看出从太阳电池常规产线升级成激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业
、扩散、刻蚀、PECVD镀膜及丝网印刷都在同一条生产线上完成，考虑到设备，人为操作及环境等因素的影响并不能完全保证电池片的均一性，所以Si、P和Ag含量差别在一定范围内是允许的。由于Bi元素来源于印刷电极
、刻蚀、PECVD镀膜、丝网印刷、烧结等工序。每道工序过程中，由于存在人为因素、环境因素及机械不稳定等因素，造成硅片的一些缺陷及污染等，从而影响电池片的性能。因此黑斑片的出现，也许是硅片原材料的问题
。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
形成表面钝化。对AI2O3钝化硅表面的物理机制的理解重新激起了硅光伏研究界对PERC的研发兴趣。在前几年，得益于高产能光伏专用的基于多种沉积方法--例如空间原子层沉积(ALD)方法和等离子增强化学沉积
