离子刻蚀设备
流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就使硅片具有光伏效应;
S14、等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将 PN 结短路的导电层;
S15、去磷硅玻璃，化学清洗硅片表面，去掉反应形成的
磷硅玻璃;
S16、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强的化学气相沉积 )，即沉积减反射膜，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化
，从而加大陷光的效果降低反射率，增加对光的吸收；另一方面，通过二次刻蚀来降低表面复合，从而将常规电池的转换效率绝对值提高。主流黑硅技术为干法制绒的离子反应法（ReactiveIonEtching
）的反射率较高，如何才能降低这部分的损失？将材料表面加工成介于微米-纳米级的微孔即可有效降低硅反射率从而提高短波的光吸收。黑硅电池，核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上形成纳米级的小绒面
，国内光伏制造设备水平处于快速提升阶段，在晶体硅太阳能电池生产线的十几种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已经
种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已经达到或着接近国际先进水平，多晶硅铸锭炉、多线切割机等设备制造技术取得
种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已经达到或着接近国际先进水平，多晶硅铸锭炉、多线切割机等设备制造技术取得
太阳能电池生产线的十几种主要设备中，8种以上国产设备已在国内生产线中居主导地位，其中单晶炉、扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备、组件层压机、太阳模拟仪等已经达到或着接近国际先进水平，多晶硅铸锭炉、多
%。 纵观行业，目前有许多实验室能够通过不同的方法制备出黑硅，如飞秒激光脉冲法、等离子体刻蚀法及金属离子辅助刻蚀法等。但这些传统方法所制成的黑硅纳米陷光结构通常具有结构较小、密、深且缺陷多的特征，甚至有杂质
、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些常规的半导体、薄膜及太阳电池测试分析手段，如四探针Hall效应测试仪、高频、准静态C-V
完整的晶体光伏电池中试线(可年产光伏组件50kW/年)，包括：高纯水制备、半导体清洗、扩散、氧化、光刻、等离子刻蚀、PECVD化学汽相沉积、烧结、真空蒸发镀膜、RF溅射镀膜和离子束溅射镀膜等，还备有一些
科技公司，致力于为国内外的高科技行业提供最新最可靠的生产设备和解决方案。主要产品包括原子层沉积，化学气相沉积，以及反应离子刻蚀等设备，市场涵盖光伏、 半导体、柔性电子、传感器、显示和照明、以及
。
此外，微导专为解决金刚线多晶制绒难问题所开发的反应离子刻蚀(RIE)技术，经过一年多的开发和优化，于今年3月份在客户现场一次成功，实现第一片实验片反射率做到10%以下，首次金刚线多晶2800片
