离子刻蚀设备
产品如扩散炉、等离子刻蚀机等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线占据主导地位，2种（管式
走进国家电投太阳能电力有限公司西宁分公司太阳能电池生产车间，听不见轰隆隆的机器声响，智能设备生产线上，太阳能电池正在经历着硅片清洗制绒、等离子刻蚀、丝网印刷、烧结等一道道工序。随着光伏产业如雨
光热资源得到有效利用，也为了节约企业成本，他们突破了光伏电池片多晶反应离子刻蚀(RIE)制绒技术，通过在硅片上刻蚀出绒状表面，不断提高硅片对光的吸收率，使太阳能电池片的平均转换率得到提高。目前此项技术在
设备、扩散设备、刻蚀设备等，建设 14 条 N 型单晶双面太阳能电池生产线。项目总投资 165,832 万元，建设期 1.5 年，达产后将实现年产 2.1GW N 型单晶双面太阳能电池的生产能力，完善
硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设，已经初步具备成套供应能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉等开始批量出口。组件生产用的层压机、太阳能模拟器
绒/多晶在线式制绒、扩散炉、在线湿法刻蚀机、PECVD、丝网印刷机及测试分选设备。以上设备均可由国内设备厂家提供，其中，国产扩散炉和管式PECVD在热场设计、温度控制、工艺控制等核心技术方面取得全面
(全自动丝网印刷机、自动分捡机、平板式PECVD)完全依赖进口外，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机等已开始少量出口。国内企业可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用双层SiNx1/SiNx2减反射膜，板式PECVD则采用渐进式减反射膜。由于SiNx薄膜可调
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。
减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了结面积，从而增加对光生载流子的收集率。对于多晶硅电池而言，由于硅片晶粒晶向的不均匀，无法使用碱制绒。为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
离子注入技术运用到IBC电池中，实现了22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 2.2 陷光与表面钝化技术 对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值
