离子刻蚀设备

22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 陷光与表面钝化技术 对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的
上进行P型掺杂。 常见的定域掺杂的方法包括掩膜法，可以通过光刻的方法在掩膜上形成需要的图形，这种方法的成本高，不适合大规模生产。相对低成本的方法有通过丝网印刷刻蚀浆料或者阻挡型浆料来刻蚀或者挡住

带电子; 2. 导带电子通过雪崩电离和焦耳加热吸收能量形成等离子体; 3. 等离子体通过电子声子耦合将能量传递给材料品格; 4. 品格被加热材料熔化、升华; 5. 物质的热扩散和声声冲击波引起
该激光消融设备中，532nm激光从激光器输出后，先经过两路全反射镜反射，再经过扩束镜、手动光阑后输入激光扫描振镜、聚焦透镜，最后输出经过聚焦后的激光。 2. 激光经过1号反射镜，让其传输方向改变90

实现薄膜沉积。PVD 技术的优势在于设备成本较低，成膜均匀性更好，镀膜工艺稳定，能 够满足大规模产业化需求，但由于等离子体中包含大量高能粒子，会对基板表面产生强烈的轰击刻蚀作用。而 RPD 技术的

行业内口碑，充分听取各领域专家、学者意见，并广泛调研行业上下游反馈。 获奖企业介绍 江苏微导纳米科技股份有限公司是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积和刻蚀装备的开发、设计、生产和服务
。微导的业务涵盖新能源、柔性电子、半导体和纳米技术等工业领域。 微导总部设在江苏无锡，由精英企业家和技术专家团队共同创立。微导的核心技术是先进的原子层沉积(ALD)和反应离子刻蚀(RIE)装备

perc+se 产线兼容，现有产线可升级改造至 TopCon产能。TopCon 生产流程分为 9 步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝
、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和 perc+se 产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD 沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备，便可

过头的现象使Hfe偏大； （5）表面漏电或可动离子密度过高，会使小电流Hfe偏小。提高小电流Hfe的方法通常是采取通H2合金； 3.电阻呈非线性 电阻呈非线性主要是由于铝引线的接触不良引起的，通常的工艺原因是引线孔刻蚀不净，有残膜（氧化膜或残胶等）。

电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等

电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等设备 B. 光伏电池： 光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件

捷佳伟创是全球光伏电池片设备供应商龙头，研发实力及技术水平行业领先。公司核心产品为光伏电池产线核心设备，包括制绒设备、刻蚀与抛光设备、PECVD、扩散炉、自动化设备，其中制绒、刻蚀抛光、扩散环节

求配套相关的新设备与辅材。PERC流行之前，SE电池大规模推广面临着投资成本巨大，高能耗，工艺整体耗时长等困境。 PERC的流行带火了SE。SE技术处理过的电池相比传统太阳电池有0.3%的提升，SE
磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业研究的