离子刻蚀设备
(LPCVD设备)磷扩散(扩散炉) 刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、扩散炉、刻蚀设备; (2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀
、扩散炉、刻蚀设备; (2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、离子注入 机、退火炉、刻蚀设备
沉积，因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD 和湿法刻蚀设备。
2) HJT 电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN 结由不同材料构成)，最高工艺温度不 能超过非晶硅薄膜形成温度(200
次 之，HJT 电池工艺最简单、步骤最少(核心工艺仅 4 步)。从生产设备来看，TOPCon电池兼容性最高，可从 PERC/PERT 产线升级，IBC次之，HJT电池完全不兼容现有设备，需要新建产线
反应离子刻蚀(RIE)装备, 并为新能源、柔性电子、半导体和纳米技术等多个工业领域的产业化生产提供整体解决方案。微导依托具有多年自动化设备及自动化生产线产业化经验的集团平台, 拥有领先的智能自动化技术储备
作为技术支持机构，为评选体系及模型提供专业的参考和见证，最终评选出最具典范和标杆力量的企业代表。
获奖企业介绍：
江苏微导纳米装备科技有限公司是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积和刻蚀装备
上改变或者增加的工艺，可以最大化的利用现有PERC产线和工艺经验积累，增加的设备包括LVCVD/PECVD、离子注入机、退火炉、刻蚀设备等，不同的技术路线所对应的设 备有所不同，前文已经介绍过，此处
产线上改变或者增加的工艺，可以最大化的利用现有PERC产线和工艺经验积累，增加的设备包括LVCVD/PECVD、离子注入机、退火炉、刻蚀设备等，不同的技术路线所对应的设 备有所不同，前文已经介绍过
从事基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务，主要产品为电子工艺装备和电子元器件。在光伏领域，他们主要提供等离子刻蚀设备、气相沉积设备、氧化扩散设备、清洗设备、移载传送设备、气象测量控制设备、辅助设备等
在于设备成本较低，成膜均匀性更好，镀膜工艺稳定，能够满足大规模产业化需求，但由于等离子体中包含大量高能粒子，会对基板表面产生强烈的轰击刻蚀作用。而RPD 技术的等离子体能量分布相对集中且离化率更高
层的厚度需控制 在 5~10 nm，其质量的好坏将直接影响电池片的输出效率，对薄膜的均匀性、致密度、容错率要求非常严苛，设备 技术难度大，壁垒高。
PECVD根据等离子发射源的运作情况，可分为动态
等离子辉光条件下在线清洗腔室。
理想万里晖的套盒结构利用其独家的抽屉式反应腔工艺，将单一的反应腔室分割成多个子腔室，并同时运行工 艺，可使产能翻倍提升，目前公司的双腔室叠层设备已实现
;RPD 技术利用特定的磁场控制 Ar 等离子体的形状，从而产生稳定、均匀、高密度的等离子体，使用 IWO(氧化铟掺钨)靶材。 短期内 TCO 薄膜沉积的主流技术是 PVD，设备产能
