离子刻蚀设备

。 该方案的优点是工艺简单，不需要增加额外的设备;但一个难点是如何调整扩散工艺，使得在重掺源附着在硅片上扩散时，保证其周边区域的扩散均匀性，目前似乎还找不到一个很好的解决方案; 另外，丝网印刷磷源，需保证不能引入金属离子，给扩散带来污染;最后，丝网印刷二次对位精度也要求较高。 来源：摩尔光伏

。 公司的产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、湿法刻蚀设备、管式等离子体淀积炉、智能自动化设备等五大产品系列。公司不仅可以为客户提供晶体硅高效电池生产设备，也提供晶体硅电池交钥匙工程系统解决方案

在生产中大规模应用，主要因为常规铝背场电池生产线进行部分工艺流程改造，即可用于PERC电池片生产。 当前中国光伏电池制造设备企业已具备了成套工艺流程设备的供应能力，部分产品如清洗/制绒机、扩散炉、等离子刻蚀机等已在

技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如TOPCon、POLO等)、金属接触技术等方面入手。针对如何降低光学损失和电学损失的问题，人们提出了多种结构的单晶硅太阳电池，目前转换效率超过25%的单晶硅
金字塔制绒，硼扩散，等离子体辅助的原子层沉积(ALD)氧化铝与等离子体化学气相沉积(PECVD)氮化硅的叠层结构起到钝化和减反效果。背面采用上述TOPCon技术(基于硝酸热氧化化学工艺)，PECVD沉积

电池片EL) 3、跟踪玛雅维护前后发现该类异常片处于半爆发状态，锁定主要来源于背钝化。(经与其他公司沟通也有该类似问题存在，维护前后相差较大) 4、元素分析显示NA离子等，可以考虑将制绒和刻蚀碱
点上。激光器激光轰击，在样品上产生小深坑，消耗样品让等离子体气流过样品表面，再经一导管导入等离子炬，样品在焰炬中电离，通过质谱仪可以对样品微小区域进行分析。 为了降低生产过程及硅片对实验的干扰，每类

，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。 四、湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩 特点：湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四

6wt%H3PO4中刻蚀。 得到了通孔AAO膜，接着转移到玻璃衬底上。用电子束蒸发通过AAO模板制备Ag纳米点。然后用3MNaOH溶液将AAO模板刻蚀掉，在玻璃衬底表面留下Ag纳米微粒。接着，用等离子

。然后通过LPD技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成P、N型的多晶硅和单晶硅。 利用光刻胶作为保护层，通过湿化学法对背面进行刻蚀，从而形成沟槽，将P、N型分离开后分别与金属电极接触，降低了载流子
、改善PN结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如TOPCon、POLO等)、金属接触技术等方面入手。针对如何降低光学损失和电学损失的问题，人们提出了多种结构的单晶硅太阳电池，目前