离子刻蚀设备
，通过PVD(物理气相沉积，通常为磁控溅射技术)镀膜，然后冷却、刻蚀，完成镀膜。FTO在线镀膜技术比较成熟，设备价格较贵;ITO和
AZO 通常离线镀膜，磁控溅射技术十分成熟。叠层钙钛矿电池结构连续
层的优势需要被重视✓ 预计2022 年中国真空镀膜设备行业市场规模达到592 亿元钙钛矿：光伏领域0-1 的颠覆性技术优点1：带隙可调带来更高的理论转化效率优点2：原料易获取、工序简单带来成本降低溶液
首台光伏用石墨舟/石英舟干法清洗设备，能极大提高流转速度，显著降低生产和人工成本。面向等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积工艺，中国电科自主研发的立式平台设备，突破传统结构，采用金属腔室和在线清洗
首台光伏用石墨舟/石英舟干法清洗设备，能极大提高流转速度，显著降低生产和人工成本。面向等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积工艺，中国电科自主研发的立式平台设备，突破传统结构，采用金属腔室和在线清洗
扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结，形成钝化接触结构后进行刻蚀。这种技术路线的优点是产量高，直接制备n型多晶硅层。但缺点是会产生绕镀现象，效率较低。LPCVD离子注入：这种技术路线利用LPCVD设备制备
膜、刻蚀、离子注入、去除光刻胶等步骤。在光刻工艺中，掩膜版上的图形被投影在光刻胶上，激发光化学反应，再经过烘烤和显影后形成光刻胶图形，而光刻胶图形作为阻挡层，用于实现选择性的刻蚀或离子注入。集成电路
激光);一次硼扩+激光掺杂;二次硼扩+激光掺杂;激光开膜+二次硼扩;激光开槽+硼浆印刷;湿法刻蚀+二次硼扩(无激光)其中，离子注入定域掺杂法，需要昂贵的离子注入机，且硼离子注入技术困难，同时硼离子
PERC 设备的 3 倍。PERC 电池工艺流程包括清洗制绒，磷扩散，激光掺杂 SE,刻蚀，镀氮化硅 膜，氧化铝膜，激光开槽和丝网印刷，总体设备投资 1.2-1.6 亿元/GW, 按照 7 年
高，输出功率增大到一定程度后，激光辐照的掺杂区域的温度会瞬间升高并会超过阈值，导致掺杂区域的离化等离子体挥发，从而产生刻蚀凹槽现象，发射极因表面浓度降低而出现方阻值增大的情况。2.2 激光掺杂 SE 工艺对
)
溶液相结合的刻蚀液，并增加了硅片的插片间距，适度降低了制绒过程中的鼓泡速率，以便得到反射率一致的均匀结构的绒面。2) 低压扩散：太阳电池发射极常规的方阻平均值为 70～80
Ω/□，为有效提高此类
半导体工艺，同时“多次丝网印刷”、“精确对准工艺”、“离子注入”、“激光刻蚀”等技术，或设备昂贵，或工艺复杂，良率不高。目前仅有爱旭、中环(MAXEON)、隆基、黄河水电几家在做。但需要注意的是，这四
导电氧化物(TCO)导电玻璃镀膜设备、多靶位磁控溅射系统、多线切割机、自动分选机等硅片生产设备;多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、全自动大面积等离子增强化学气相沉积装备(PECVD)、干法刻蚀机
