氮化硅膜

电池也需要将P接触层作为底层，这一点可以通过背结N型电池或常规的P型电池来实现。 不论是N型电池还是P型电池，都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化
。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。 目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒

台设备中可以同时完成氧化铝和氮化硅双层膜的沉积，ALD的优势是TMA耗量少、钝化质量高，缺点是必须搭配PECVD设备同时使用，氧化铝和氮化硅需要分别沉积。 激光开槽设备方面，基本上是武汉帝尔激光

将全铝背场改为局部铝背场，把背面铝浆全覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，P

PECVD目的 在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。 镀膜原理 光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
膜的作用、简述膜的特性 1、氮化硅膜的减反原理 光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或 多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太 阳电

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅

氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。 背面网板设计、浆料选择 双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商
保障。 双面制绒 双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率提升1.08%，双面率达81.2%。 叠层背减反膜 双面电池背面