氮化硅膜
;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。 氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面
Tempress扩散炉、R2D自动化、捷佳创低压扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需
容易发生。关于防止PID现象发生的措施，可以通过在系统端阵列负极接地、夜间阵列加正向电压恢复以及安装微型逆变器；亦或是在组件端，通过采用绝缘性能好的封装材料；还可以在电池端适当调整氮化硅膜折射率。PID
钝化和局部铝背场）工艺技术。PERC工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，在硅片背面形成氧化铝膜层，然后再在该膜基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用
：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和镀铜金属化等技术。尤其是激光开槽埋栅电池技术第一次创造了单晶硅电池光电转换效率超过20%的世界纪录!在九十年代初期，在
。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池转换效率分档测试设备代替了当年的手工测试仪等。看到这些，Stuart讲：正荣，你干得很好!我
，Stuart从理论上和实验上对晶体硅埋栅电池做了系统的研究，采用激光开槽和机械沙轮开槽等技术开发了埋栅电池的制造工艺，包括：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和
Stuart来无锡，他看到了现代版的电池生产线和15%多晶硅电池的转换效率感到异常的兴奋。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池
能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass
frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施
及时挑出产线最常见的表面发白、色差、白点，其中表面发白主要由于氮化硅膜较厚导致，可通过调节膜沉积时间来调整；色差片主要由于气路堵塞、石英管漏气、微波故障等导致；白斑主要由于前道小黑点导致。反射率
产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而
磷硅玻璃的目的是为了去除硅片表面形成的磷硅玻璃。采用CT管式PECVD炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅
效率提升和成本降低。其印刷的细栅能够减少遮光损失，进一步优化副栅线的高宽比，因而广受关注。
目前常规多晶硅太阳能电池工艺流程为:硅片检测、清洗制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝网印刷。丝网印刷
摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
