氮化硅膜

, 光伏组件边框的电势为零, 高于电池片电势, 当玻璃表面有湿气、露水等时, 就会在组件表面形成一个带电的水膜, 而这个带电水膜与电池片之间会因为电势差形成一个模拟电场, 且Na+本身带正电荷, 所以在
。 使用POE封装的光伏组件背面更易出现PID现象是因为双面PERC电池片正面为化学钝化, 其氮化硅中含有高密度的固定正电荷, 对Na+有一定的排斥作用, 会减弱一部分Na+的富集;但是其背面为场钝化

通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题
硅片正面沉积蓝色、金黄色、紫红色和绿色的氮化硅减反膜，并通过腐蚀去除印刷区域一定厚度的氮化硅减反膜，然后清洗和甩干，再经过印刷烧结，分别制得蓝色、金黄色、紫红色、绿色共4 种颜色的彩色多晶硅太阳电池

情况下低于正面发电量的20%，所以爱旭科技将双面双测双分档电池档位标准定为：正面转化效率差异0.1%，背面转化效率差异0.5%为一档;同时，爱旭科技双面电池通过工艺创新，增加了正背面氮化硅膜的折射率和致密

覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，P型PERC双面因子仅60%-80

镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观; 4.应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性。 单晶PERC转化率比较高，温度系数比较低一些，工作温度相对比较低，所以它是发电量相对会比普通的

有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成
所示。与IBC结构太阳电池相比，HBC太阳电池采用a-Si∶H作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。在生长PN结的工艺中，他们采用区域型掩膜掺杂，降低了载流子的复合损失。与SHJ

摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和

) 特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 三、 直接印刷掩膜层

。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量
，他们采用区域型掩膜掺杂，降低了载流子的复合损失。与SHJ结构的太阳电池相比，其前表面无电极遮挡，而且采用SiN减反层取代TCO，减少光学损失的优势更加显著(在短波长范围内)，结合前表面两点优势