氮化硅膜
时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
硅片各20 片在Maia 2.1 设备中进行背钝化膜沉积，管式PECVD 沉积正面氮化硅减反膜，最后通过激光消融和丝印烧结制备成PERC 电池。
采用D8-4 型反射率测试仪测试刻蚀后的硅片背面反射率
摘要：多晶硅电池片经封装成组件，功率会有相应的损失，称之为封装损耗。多晶硅电池工艺中细微的差异就会导致组件衰减的不同。针对氮化硅膜厚与折射率、扩散均匀性、电池片摩擦情况引起的组件衰减进行了详细的研究
300nm～1100nm，因此，任何这一波段的光进入电池都会造成光学上的损失。可以从光的透射和反射两方面进行分析。太阳能多晶电池的表面会沉积一层减反射膜，即氮化硅膜，做成组件之后其上有EVA和钢化玻璃
生产厂房高度要求; ·465mm口径石英管，五管产能≥3600片/小时(单管416片/批); ·300-600°C温度调节范围，满足镀氮化硅膜和硅片退火工艺要求; ·自带N20(笑气)管路和操作软件
面氮化硅膜与背面氮化硅与AlOx膜集成在一起的3in1设备，AlOx工艺腔4对微波源，2对朝上镀膜，2对朝下镀膜，SiN工艺腔1，6对微波源，朝下镀膜；SiN工艺腔2，6对微波源，朝上镀SIN工艺腔1
一种新的正表面氮化硅膜与背面氮化硅与AlOx膜集成在一起的3in1设备，AlOx工艺腔4对微波源，2对朝上镀膜，2对朝下镀膜，SiN工艺腔1，6对微波源，朝下镀膜；SiN工艺腔2，6对微波源，朝上镀
; S18、测试分选。 在 PECVD 过程中，会在电池片表面镀上一层氮化硅膜。与此同时，电池片所在的载片基板上没有放置电池片的地方也会镀上氮化硅，随着载片基板表面的氮化硅逐渐变厚，载片基板受到的局部
，氮化硅2.1，氧化铝1.6；背面的叠层结构可以实现：①光从光密到光疏介质时在一定角度都可以形成全反射，增大光反射的几率。②PREC结构中间多一层叠层膜，增加红光吸收减少穿透损失。目前PERC电池的制备以P
多晶的扩散均使用浅结高方阻工艺，结深为0.3m左右；PN结区产生的载流子经过相对较长的距离才能被电极收集到。黑硅绒面腐蚀坑的深度及开口大小会对载流子横向输运造成影响；前表面结合二氧化硅及氮化硅膜，界面
中来双面电池技术 A. 核心工艺技术 中来双面电池使用n型硅片，正面硼扩散形成p+层，背面离子注入磷扩撒形成n+层，双面沉积氮化硅减反膜，最后印刷银电极，核心工艺技术为： 扩散工艺(源的选择
。Bauer等人发现，在使用特定EVA和氮化硅抗反射涂层(ARC)时，受到PID影响的组件通常会出现钠离子从前表面向太阳能电池的迁移。对此的一个解释是，在迁移过程中，带电离子在电池表面聚集，产生电场，并且由于抗
恢复。此外，PID状况还可通过使用抗PID的密封产品，如Enlight聚丙烯封装膜、离子交联聚合物膜、化学强化玻璃等，在组件层级进行减缓。多家组件制造商均宣称已研发出不受PID影响的组件，均已使用抗
。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与n+层结合作为前表面电场，并形成绒面结构以抗反射。 背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面，并通过在氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区
面，在其上有一极薄的氧化隧道层，Al电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面，然后利用PECVD蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜。 图7（a）OECO电池结构OECO电池具有高效性的原因包括：几乎是无遮挡的表面。由于
