氮化硅膜

PECVD的主要性能指标(如表6.1)，PECVD设备的主要特点(如表6.2)，从表6.1和6.2可以看出，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5
相比，具有沉积速度快、膜层质量好等优点，且已广泛应用于电子、光电子、表面改性等领域。该技术的缺点是沉积工艺温度过高，一般在(900℃～1200℃)之间，被处理的基体在高温下易变形、基体晶粒长大、致使

完全利用化学反应完成，故称之为化学性刻蚀。此刻蚀方式与前面所述的湿法腐蚀类似，只是反应物的状态从液态变成了气态，且以等离子来促进反应速度。所以化学性刻蚀与湿法腐蚀有类似的优缺点，对掩膜、基底有较高的选择
1.等离子体刻蚀(PlasmaEtching)等离子体刻蚀是在等离子体存在的条件下，以平面曝光后得到的光刻图形作掩膜，通过溅射、化学反应、辅助能量离子或电子等方式，精确可控地除去衬底表面上一定深度的

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1,其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反效果
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

。 下一页 太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。　　太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

只能露出眼睛。扩散完成后，为了减少表面反射，更好吸收太阳光，增加电池的短路电流和输出，需要在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜。之后通过压印的方式，将工业银按预定的图形印刷在基板上，从而在电池表面形成正

太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 　　在高效太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电池的效率，近年来在光伏级的晶体硅
晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti

硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。在高效太阳电池上常采用表面
结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效光伏电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。单晶硅高效电池单晶硅高效光伏电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池（PCC），新

索比光伏网讯:采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果

。２.２．４不同的浆科，成分不同，性能不同，对电池的参数影响不同不同浆料对氮化硅膜的穿透能力不同，高温性能不同，从而造成电参数性能的较大差异。在烧兰占ｉ型程中，应根据浆料的不同性质采用不同的烧结工艺。２.３人工