烧结

生产中，实现在小于26m的丝网开口上完美印刷。凭借独特的化学成分，浆料的烧结峰值温度很低且烧结温度范围广，确保发射极在烧结过程中得到可靠保护。该产品可改善接触性能，同时提高短路电流(Isc)和填充因子

半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低

半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低

高温烧结工艺限制了其在柔性基底上的应用.2014 年，文献提出以 ZnO 代替常用的 TiO2得到的效率为15.4%的平面异质结 钙钛矿太阳能电池为解决这一问题提供了新的思路，同时掀起了反式钙钛矿

刻蚀和边缘隔离、背面沉积氧化铝、双面沉积氮化硅、背面钝化激光开槽、丝网印刷、烧结、分选。 其大部分工艺与常规铝背场工艺相同，新增背面钝化镀层与激光开槽两道工序。 目前PERC电池片

、P+层少子寿命、方阻测试 图7 P+层方阻对比图 图8 P+层少子寿命对比图 黑斑电池片正常区域和异常区域P+层方阻变化不大，说明背场烧结工艺正常，在少子寿命的表现上只有中间
大黑斑明显偏低，而少子寿命偏低主要是受杂质复合影响。因此推论黑点黑斑电池片并非烧结工序所致。 结论： 在这里说明一下，该类黑斑主要针对于未见明显影响到效率的且外观不可见的类型。 笔者在国投

～1200nm之间进行反射率测试,用WT2000少子寿命测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片进行少子寿命抽测,抽测样片数量为实验总片数的10%。最后经过丝网印刷制作背电场及前后电极并进行烧结做成

的基础上叠加激光SE技术，在光斑、扩散、烧结、浆料网版等方面进行优化，电池片量产平均效率达到22.23%，最高效率达到了22.55%。通过这些优化，正泰PERC+激光SE电池片，开压高达680mv，较

淳介绍，鑫单晶的光衰数据较多晶相比略差，怀疑主要是鑫单晶峰值烧结温度较多晶更高所造成。多晶的LeTID控制已经有成熟的产业化技术，鑫单晶还需进一步优化。 而在成本方面，协鑫方面称，目前铸造单晶成本比

) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
接触不良，串联电阻增大 4) 烧结过度，即将使PN结烧透，短路 以上几种有可能在分选测试时尚未暴露，而做成组件后在长期的使用过程中，逐渐变化而导致愈演愈烈 3. 同一档次的电池片性能不一致 1