烧结
设计的执着上。固德威光伏逆变器零部件均采用松下、三洋等国际国内一线大品牌，为保障安全，CPU和继电器均设计有冗余保护。众所周知，如果没有继电器冗余保护，当一个继电器发生烧结时，对检修人员的人身安全将造成
烧结等过程。其中，金属化工艺是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一，不但要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，同时要为电流输出提供高导通路，是决定电池转化效率和成本高低的主要影响因素之一。
与
主要异质结电池制造厂家的拉力要求一般约是1N。而低温银浆是基于工艺温度在250℃以下，没有银粉烧结过程，银粉之间、银与基材之间依靠有机树脂相进行黏接。不同于传统晶硅电池浆料采用高温烧结，银粉之间依靠表面
也许也会在n-型硅中出现。通过控制烧结条件和扩散发射极层，UNSW找到了在n-型硅中诱导和调整光热衰变缺陷的方法。基于这些方法，他们将在报告中讨论这些发现对于n-型和p-型晶体硅的技术发展意义。
(PECVD) 工艺。 而前表 面SiNx ARC也同样是采用管式PECVD 工艺完成的。
在进行激光电极开窗操作之后，采用丝网印刷和共烧结工艺完成金属电极制作。随后对所有完成烧结的多晶硅PERC
质量 控制的和普通的多晶硅硅 片之间在多晶硅PERC组件衰减 方 面的巨 大差异。
烧结温度对衰减的显著影响已经被 广泛认识到。降低烧结 工艺时的峰值温度或减缓冷却速度都有助于 大幅降低衰减
烧结温度，以使低压扩散的高方阻、高均匀性优势充分发挥出来，使用测试分选机记录电池片的电性能参数如表7所示。 低压扩散工艺四工艺制成的多晶电池片效率分布如图2所示。 经工艺优化
摘要
为了提高局域背接触太阳电池的电性能，研究了铝粉物性(氧含量、粒径)对局域背接触太阳电池背场铝浆性能的影响，探究了烧结工艺对局域背接触太阳电池填充率、铝背场厚度和电性能的影响。结果表明：低氧
含量铝粉和小粒径铝粉活性较高，铝粉和玻璃粉的反应温度较低，铝硅原子间扩散程度较大，可获得较厚的铝背场和较低的填充率;适中的烧结温度能够平衡填充率和铝背场厚度，峰值烧结温度为778.6℃时，填充率达到
太阳能电池的电性能;另外，EDS结果表明靠近LBSF层及界面铝浆中的硅含量都有增加。因此可以推断，局部背表面层厚度的增加与硼添加剂可以增加铝硅在烧结时的互扩散有关。
玻璃中铅元素的替代材料;研究无铅玻璃体的制备技术;研究环境友好、印刷性能优良的有机载体制备技术;烧结过程中金属半导体接触的机理研究;低表面态太阳能电池烧结工艺开发。 考核指标：量产产线一次印刷厚度
摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响。
0 引言
为了
工艺参数对硅片少子寿命的影响，并得出少子寿命与PERC电池转换效率之间的关系，探讨烧结过程对PERC电池性能的影响及其内在机理。
1 Al2O3对硅的钝化机理
Al2O3中铝原子存在两种配位方式
摘要
针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等)，在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的
采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的
