印刷工艺

单(生态保护红线、环境质量底线、资源利用上线、环境准入清单)编制工作，明确禁止和限制发展的行业、生产工艺和产业目录。修订完善高耗能、高污染和资源型行业准入条件，重点区域应制订更严格的产业准入门槛。强化
大气污染物排放监控，加大超标处罚力度。强化工业企业无组织排放管控，开展钢铁、建材、有色、火电、焦化、铸造等重点行业及燃煤锅炉无组织排放排查，建立管理台账，对物料(含废渣)运输、装卸、储存、转移和工艺过程等无

级(几种薄膜太阳能材料中较 高的)。禁带宽度在室温时是 1. 04eV，电子迁移率和空穴迁移 率分别为 3.2102(cm2/VS) 和 110 (cm2/VS)。现在真 空工艺制备的收层薄膜
电极 Mo 和上电极 n-Zn0 一般采用磁控溅射的方法，工艺路线比较成熟。最关键的吸收层的制备有许多不同的方法，这些沉积制备方法包括： 蒸发法、 溅射后硒化法、 电化学沉积法、 喷涂热解法和

量产。 p-PERC双面电池：几乎免费的双面发电红利。p-PERC技术路线是双面技术中最热门的选项。工艺方面，PERC产线转入双面结构只需将全铝背场改为局部铝背场，把背面铝浆全覆盖改为用铝浆在背面印刷与正面类似

和氮气两种不同环境中、不同退火时间内在PECVD管内完成退火工艺。测试其退火热处理前后载流子少子寿命，并观察其对丝网印刷效率等工艺参数的影响。 2.1实验原料及仪器 实验所选硅片导电类型为P型
确定当退火温度在450℃、退火时间20min时，工艺参数最佳。当温度过高过低均不利于膜厚的增加也不利于形成良好的欧姆接触，且此时光电转换效率较差。折射率的变化却不同，其最大值是在低温下达到的，此时氮气

改良西门子法，单纯从技术角度，近些年最为显著的变化就是冷氢化技术的应用，但即便如此，凭借着国内企业对工艺理解的提升、设备国产化、和低电价地区的布局而引发了多轮产业洗礼。 六九硅业是拖垮英利太阳能的
产业环节，在2017年以前美股上市的光伏巨头的年报中会披露切片产能，但至此以后不再披露，切片环节被当做硅片产业环节理所当然的一部分;金刚线革命后，切割的核心工艺掌握在了金刚线线材厂家手中，线材厂家又在

的掺镓硅片;PERC 电池实验组5～8，同样选用电阻率依次为0.2～1 cm、1～2 cm、2～3 cm、3～4 cm 的掺镓硅片;每组样品数量均为400 片。 所有的电池片生产工艺均在常规的
单晶硅太阳电池生产线上进行，主要工艺步骤( 其中步骤4)和6) 为PERC 电池独有的工艺) 如下： 1) 去损伤层、制绒：制绒金字塔大小1.5～2.5 m; 2)PCl3 扩散：高温扩散形成n+

无主栅太阳电池是在常规太阳电池的基础上，通过缩短载流子输运路径来减小串联电阻，从而增加正面受光面积、提高组件功率，以提高短路电流、减少栅线印刷银浆使用量来降低生产成本而设计的新型太阳电池。 本文
主要研究了采用低温压接方式进行无主栅太阳电池的多线串焊工艺，开发了适用于无主栅太阳电池串接的低熔点圆形镀层焊带材料，并通过对无主栅太阳电池正面金属化图形的优化达到可靠的串接效果;同时进行无主栅光伏组件

少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。 SE技术的主要工艺包括激光掺杂、离子注入、有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法等，其中激光掺杂工艺过程简单，只需增加掺杂