但是单晶要倒角，所以同样是156*156 的硅片，单晶的面积要小一些。单晶面积是23800-23900平方毫米，而多晶正常水平是24336±1平方毫米，取单晶最小面积是23800平方毫米，单晶面积：多晶面积=0.977975，多晶面积：单晶面积=1.022521。
注：上表中，第一列是单晶的转换效率，第一行是多晶的转换效率。主表数据为电池瓦数比。计算方法：电池瓦数比=多晶转换率*多晶面积/(单晶转换率*单晶面积)，本表可以对比到最终组件，但是要考虑单晶和多晶的封装损耗是有差异的。
但是单晶要倒角，所以同样是156*156 的硅片，单晶的面积要小一些。单晶面积是23800-23900平方毫米，而多晶正常水平是24336±1平方毫米，取单晶最小面积是23800平方毫米，单晶面积：多晶面积=0.977975，多晶面积：单晶面积=1.022521。
注：上表中，第一列是单晶的转换效率，第一行是多晶的转换效率。主表数据为电池瓦数比。计算方法：电池瓦数比=多晶转换率*多晶面积/(单晶转换率*单晶面积)，本表可以对比到最终组件，但是要考虑单晶和多晶的封装损耗是有差异的。
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