PECVD

PECVD,索比光伏网为您提供PECVD相关内容,让您快速了解PECVD最新资讯信息。关于PECVD更多相关信息,可关注索比光伏网。

P型硅电池效率超过26%详解德国POLO-IBC技术来源:PV兔子 发布时间:2019-06-30 19:58:51

衔接 ALD生长20nm的AlOx用作钝化,正面再用PECVD覆盖SiNy/SiOz的减反射层,背面只覆盖SiOz 再次使用光刻对金属接触区域开孔 背面蒸镀铝电极,然后溅射氧化硅 最后使用化学

一种彩色多晶硅太阳电池的制备方法及性能测试来源:上海神舟新能源发展有限公司 发布时间:2019-06-30 17:10:45

采用p 型多晶硅片(156 mm156 mm),彩色多晶硅太阳电池样品的制备流程如图1 所示。所有样品经多晶硅太阳电池生产的常规工艺进行制绒、扩散、刻蚀后,用板式PECVD 调节一次性镀膜工艺,在
如表4 所示,图4 为绿色多晶硅太阳电池的拉力曲线。 从表4 可以看出,该工艺所制作的彩色多晶硅太阳电池的正电极拉力完全符合要求。 2 结论 本文利用PECVD 一次性沉积彩色减反膜,并通过腐蚀

行业研究: 光伏设备专题系列之一:平价是主线 突围看技术来源:招商证券研究所 发布时间:2019-06-25 17:20:48

\/GW,则 2019\/2020年设备空间可达 102亿、 77亿,2019年对应制绒设备、扩散炉、刻蚀机、激光设备、自动化设备空间各自约10亿,正面 PECVD 空间 20亿,背面 PECVD
)。 前段设备龙头捷佳伟创市占率40-50%,后段设备龙头迈为股份市占率70%,目前有相互渗透的趋势,捷佳伟创在2019SNEC展推出丝网印刷设备,而迈为股份也准备推进PECVD设备,我们认为前段后段

平价是主线 突围看技术来源:招商证券研究所 发布时间:2019-06-25 14:35:15

亿元\/GW,则 2019\/2020年设备空间可达 102亿、 77亿,2019年对应制绒设备、扩散炉、刻蚀机、激光设备、自动化设备空间各自约10亿,正面 PECVD 空间 20亿,背面 PECVD 空间 30亿,丝网印刷 15亿。

捷佳伟创获成都通威四期订单来源:光伏每日头条 发布时间:2019-06-24 13:54:10

了客户认可。合同具有三大亮点: 一是所选扩散炉和PECVD产能进一步增大。扩散炉每小时产能提高33.3%,PECVD 每小时产能提高7.6%;二是全面采用碱抛光设备。碱抛光技术可以大幅降低污水处理
成本,同时提升电池转换效率;三是全部选用管式PECVD氧化铝二合一设备。从已验证的数据看,氧化铝二合一设备对电池转换效率有较大增益。 本次合同的签订已在业内产生风向标效应,对其它

捷佳伟创喜获成都通威四期订单来源:证券时报网 发布时间:2019-06-21 14:02:22

了客户认可。合同具有三大亮点: 一是所选扩散炉和PECVD产能进一步增大。扩散炉每小时产能提高33.3%,PECVD 每小时产能提高7.6%;二是全面采用碱抛光设备。碱抛光技术可以大幅降低污水处理
成本,同时提升电池转换效率;三是全部选用管式PECVD氧化铝二合一设备。从已验证的数据看,氧化铝二合一设备对电池转换效率有较大增益。 本次合同的签订已在业内产生风向标效应,对其它电池厂商设备选型提供

光伏电池技术不断进步,电池设备迎来发展机遇期来源:长城证券 发布时间:2019-05-22 08:57:57

国内生产线中占据主导地位,但整体技术水平同国际一流厂商仍有差距,成套线自动化程度较低。 管式PECVD设备与进口设备实力相近,份额逐步扩大,正在加速进口替代过程。 但全自动丝网印刷机、自动分拣机
、连续式PECVD设备仍然依赖于进口,未来国内设备厂商主要向高效化和智能化发展。 目前国内光伏电池主流建线同时采购国产和进口设备,其中国产设备已经占近70%的比例,未来仍有提升空间。 根据

锦州阳光能源携最新高效组件亮相2019年慕尼黑国际太阳能技术博览会来源:索比光伏网 发布时间:2019-05-16 15:54:17

太阳能电池,是当前开发最快的一种太阳能电池。单晶硅太阳能电池具有很多优点:1.光电转换效率高,可靠性高; 2.先进的扩散技术,保证片内各处转换效率的均匀性; 3.运用先进的PECVD成膜技术,在电池表面

PERC、IBC、SHJ、TOPCon、HBC等高效光伏电池简史来源:材料导报、摩尔光伏 发布时间:2019-05-13 10:41:30

金字塔制绒,硼扩散,等离子体辅助的原子层沉积(ALD)氧化铝与等离子体化学气相沉积(PECVD)氮化硅的叠层结构起到钝化和减反效果。背面采用上述TOPCon技术(基于硝酸热氧化化学工艺),PECVD沉积
都是采用了多晶硅加氧化层结构设计,且其对应的氧化层的生长方法相近,不同点在于:(1)前者先采用低压化学气相沉积(LPD)法沉积本征多晶硅,然后采用离子注入形成n+/p+多晶硅,后者则采用PECVD

三层氮化硅减反射膜工艺技术来源:摩尔光伏 发布时间:2019-04-26 16:40:40

摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
多层氮化硅减反射膜层通过不断降低折射率,能够更好的钝化太阳电池表面和降低表面反射率。本文研究的是利用PECVD制作三层氮化硅膜以及其对多晶太阳电池的影响。 1实验 本实验采用156156多晶硅片