非晶硅
)投入使用，生产太阳能吸收器，储热能水箱以及用于外太空的太阳电池，同步开始了太阳技术应用开发。 1988年夏普光伏组件首次应用于海洋信号传输系统;同年夏普非晶硅电池效率取得巨大突破和飞跃，达到11.5
光伏电站，在夏威夷建设4兆瓦的光伏电站。
1996年投资2500万美金开发非晶硅薄膜技术。这个时候，Solarex取代此前ARCO SoLAR 成为美国的光伏老大和世界第二大光伏企业，Solarex目标
安然参股投资，生产铜铟镓硒技术的薄膜电池，其效率将是单层非晶硅薄膜电池效率的三倍。安然也为此游说美国政府、总统和能源部予以扶持，期望此项目将实现未来五年将光伏发电成本下降到每度电5-8美分，实现
Christopher Wronski(克里斯托弗.隆斯基)在RCA(美国无线电公司)实验室创建首个非晶硅光伏电池，该电池具有1.1%的光电转换效率。 此前二十年，阻碍光伏发电应用的关键是制造成本太高
，需要针对性开发适合于异质结电池和组件的互联和层压工艺。
2. 异质结电池用低温银浆和非晶硅层耐湿性、耐钠性较差;并且和PERC电池所不同，异质结电池接触封装胶膜的主要是TCO薄膜。因此，需要开发
适用于TCO薄膜，并且对异质结非晶硅层和低温银浆制作出来的栅线有更好保护的封装胶膜。
3. 半片电池已经成为组件技术的标配。而异质结电池切半的激光切损高达0.3%-0.5%，因此，组件行业急需适用于
装备实现TOPCon电池核心材料 超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅 的制备，同时在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通，以及实现高效太阳能电池全工艺集成等关键技术方面取得了重大突破，推出了简化工艺流程解决方案
目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节。目前PERC电池产
本竞争力不足，核心因素在于两方面：
1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
任务，并进行定位、二次配等工作，各项介质也将陆续供应，确保项目在7月底顺利投产。 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池
沉积，就可制备太阳能电池面板。基本上分为：非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池和碲化镉薄膜电池三种。 其中，非晶硅薄膜电池转换效率低，铜铟镓硒薄膜电池成本较高，所以First Solar选择了碲化镉薄膜
两年多家公司进入试生产线环节 并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。
HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N
型硅片(c-Si)及基极，在正面、背面都采用非晶硅薄膜(a-Si)形成异质 结结构，正面使用本征非晶硅薄膜和 P 型非晶薄膜沉积形成 PN 异质结，背面同样使用本 征非晶硅薄膜和 N 型非晶薄膜
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
