非晶硅

板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法

输出功率1800w，可扩展到3600w。两款微逆最大直流输入电流可达20A，可完美匹配双面和182、210大功率组件。大电压扩展也可同时匹配晶硅和非晶硅组件，支持功率因数可调，远程升级等一系列功能;顺应

传导损耗，提升组件可靠性;组件采用非晶硅薄膜与N型晶体硅技术结合，耐高温、低衰减、弱光环境表现优异;异质结组件拥有超低的温度系数，使其在高温状态也可高效持续发电。超高效异质结产品稳定、可靠的性能带来更加

，中来近几年在N型TOPCon技术上取得了卓越的成果。最新发布的J-TOPCon 2.0电池是基于新一代隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的，量产效率实现了从23.5%到24.5%的跨越性提升

不断突破，未来HJT降本空间巨大。目前主流的异质结电池采用晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，主要工艺是先将N型硅片清洗制绒作为衬底，经过非晶硅薄膜沉积与TCO导电膜沉积，并通过丝网印刷制备银电极，最后烧结退火
制成。从成本端看，HJT与PERC在制造工艺与生产设备最大不同之处在于非晶硅薄膜沉积与导电膜沉积环节。非晶硅薄膜沉积所需设备PECVD目前主要依靠进口，单GW设备投资额在5亿元左右，国内设备厂商钧石

24.5%的效率极限，目前处于后PERC时代。近年来国内新建产线基本全部采用PERC技术，PERC电池还是未来2-3年的主流产品。 异质结发展现状 HJT电池技术通过增加一层非晶硅异质结来提高Voc
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。 HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身

技术，也称为基于硅晶圆的技术和(2)薄膜技术(TFT)。薄膜技术也可以使用非晶硅、碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒作为半导体材料。使用晶体硅(c-Si)技术和薄膜技术的光伏电池都属于涉案产品。光伏电池在市场上

数据来源：索比咨询整理 表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商 数据来源：索比咨询整理 表：部分TCO层沉积设备供应商 数据来源

端的摸索，新技术就不会被提出;没有设备端的发展，新技术就难以落地。异质结作为一种已经存在超过30年的技术，近几年来设备的持续降本是其开始广受关注的核心原因。 异质结设备主要分为四类：制绒设备、非晶硅
PECVD：异质结降本的关键 目前非晶硅沉积设备的主流方案是静态链式PECVD。当前静态路线和动态路线之争已有结论，各家基本采用静态PECVD方案，其他方案如HWCVD、管式PECVD、团簇式PECVD等