非晶硅
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
：HJT发展潜力大，为下一代电池技术方向 HJT电池的生产工艺相对简单但技术难度高，设备国产化持续推进中。HJT只需4步工艺但技术难度较大：制绒清洗设备(投资占比10%)、非晶硅沉积设备(投资占比
板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法
输出功率1800w，可扩展到3600w。两款微逆最大直流输入电流可达20A，可完美匹配双面和182、210大功率组件。大电压扩展也可同时匹配晶硅和非晶硅组件，支持功率因数可调，远程升级等一系列功能;顺应
传导损耗，提升组件可靠性;组件采用非晶硅薄膜与N型晶体硅技术结合，耐高温、低衰减、弱光环境表现优异;异质结组件拥有超低的温度系数，使其在高温状态也可高效持续发电。超高效异质结产品稳定、可靠的性能带来更加
，中来近几年在N型TOPCon技术上取得了卓越的成果。最新发布的J-TOPCon 2.0电池是基于新一代隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的，量产效率实现了从23.5%到24.5%的跨越性提升
不断突破，未来HJT降本空间巨大。目前主流的异质结电池采用晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，主要工艺是先将N型硅片清洗制绒作为衬底，经过非晶硅薄膜沉积与TCO导电膜沉积，并通过丝网印刷制备银电极，最后烧结退火
制成。从成本端看，HJT与PERC在制造工艺与生产设备最大不同之处在于非晶硅薄膜沉积与导电膜沉积环节。非晶硅薄膜沉积所需设备PECVD目前主要依靠进口，单GW设备投资额在5亿元左右，国内设备厂商钧石
24.5%的效率极限，目前处于后PERC时代。近年来国内新建产线基本全部采用PERC技术，PERC电池还是未来2-3年的主流产品。
异质结发展现状
HJT电池技术通过增加一层非晶硅异质结来提高Voc
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。
HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
技术，也称为基于硅晶圆的技术和(2)薄膜技术(TFT)。薄膜技术也可以使用非晶硅、碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒作为半导体材料。使用晶体硅(c-Si)技术和薄膜技术的光伏电池都属于涉案产品。光伏电池在市场上
数据来源：索比咨询整理 表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商 数据来源：索比咨询整理 表：部分TCO层沉积设备供应商 数据来源
