非晶硅
在一项新研究中，科学家利用超高真空导电原子力显微镜(cAFM)，发现了硅太阳能电池中非晶硅接触层的损耗机制。
研究于3月17日发表在《ACS应用纳米材料》上，标题为Imaging
/千瓦时的价格发电。当今最高效的硅太阳能电池核心部分是小于10纳米的选择性非晶硅(a-Si:H)接触层，这些接触层负责分离光产生的电荷。HZB使用这种硅异质结太阳能电池可实现24%以上的效率，做成
(Heterojunction，HJT)： 由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶 体硅片正反两面依次沉积厚度为
5-10nm 的本征和掺杂的非晶硅薄膜，以及透明导电氧化物 (Transparent Conductive Oxide，TCO) 薄膜，从上到下依次形成了 TCO-N-i-N-i-P-TCO 的对称
磁控溅射工艺在P型非晶硅层上制备ITO材质的第一透明导电层(也就是异质结电池的背面);采用磁控溅射工艺在电子传输层上形成ITO材质的第二透明导电层(也就是钙钛矿电池的正面);以及采用丝网印刷工艺在第一
这两年行业热议的技术路线，就是异质结。异质结的基本原理是在N型硅片基底上采用非晶硅沉积的方式形成异质结并作为钝化层。这种结构的电池开路电压更高，效率也会相应的比较高，同时外部最外一层有TCO透明导电层
方面是可以和异质结结合，采用非晶硅钝化层结构或隧穿钝化层来形成HBC结构。目前实验室状况下，HBC效率可以高达26%。
对于PERC电池来说，从目前的研究情况来看，两年内量产效率有望提升到23.5
电池成本8-12%。预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术; 第二，非晶硅薄膜的透光性能进一步提升，可以提升效率0.2%以上; 第三，新型磁控溅射TCO材料的
电池成本8-12%。预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术; 第二，非晶硅薄膜的透光性能进一步提升，可以提升效率0.2%以上; 第三，新型磁控溅射TCO材料的采用
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。
值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大，例如
。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜，在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在HJT中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大
、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。
值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大
薄膜。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜，在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在HJT中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大
使命，全力推动光伏产业的可持续发展。 HJT研发总监王继磊表示，本次高效异质结电池是对界面态处理、非晶硅生长、TCO沉积、金属化等技术进行全面升级并结合多项自主研发技术整合的最新成果，是整个异质结团队包括研发、设备、生产长期磨合所形成的高效配合的结晶，整个团队将会全力以赴向更高的目标迈进。
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
