非晶硅
。TOPCon是在PERC结构的基础上增加了一层超薄隧穿氧化硅和磷掺杂 本征多晶硅，根据《TOPCon与HJT电池的量产前景分析》，TOPCon工艺首先是将 PERC的磷扩改为硼扩，氧化硅层及磷掺杂非晶硅层
，用于制备P型非晶硅、N型非晶硅和本征非晶硅薄膜。本次募集资金投资项目的实施将助力公司进一步开拓光伏电池片生产设备的产品线，抓住光伏电池技术升级的关键时机抢占光伏电池片的核心生产装备PECVD设备的市场
、电池、组件产能则达到了400GW、380GW-400GW、400GW，可相对于此，较为乐观的20201年全球光伏新增装机预测也仅为160GW-200GW(含5%非晶硅光伏)。 产能扩张较为集中于电池、组件环节，这正是引发如今产业链上下游处境两重天的症结所在。上述垂直一体化光伏企业高管表示。
全产业链装备的国产化，对行业内新型高效电池技术的推广应用是一次重大贡献，本项目产品及主要技术指标达到国际先进水平。
去年10月，中来对外宣布最新研发结果出炉，基于新一代隧穿氧化层和无绕镀原位掺杂非晶硅沉积
%+，但是由于隧穿氧化层通过高温氧化， LPCVD沉积非晶硅，离子注入掺磷，并经高温退火，多晶硅绕镀清洗等多道工序完成。相比于PERC电池量产，生产成本和良率是长期困扰的难题。
此次J-TOPCon
开启异质结技术的低成本量产时代。 异质结技术自1991年日本三洋公司创造性的将本征非晶硅薄膜应用于异质结电池以来，经历了整整30年的发展。今天，在一大批中国优秀光伏企业的推动下，尤其是华晟500MW异质结电池
，远超之前预期。 HJT技术自1991年日本三洋公司创造性的将本征非晶硅薄膜应用于异质结电池以来，经历了整整30年的发展。今天，在以安徽华晟、迈为、理想万里晖、中环等为代表的一大批中国优秀光伏企业的
，HJT技术早在上个世纪就已经出现，90年代日本三洋将本征非晶硅引入异质结电池结构，取得转换效率的大幅提升，并申请了专利。随着2010年松下(收购三洋)的HJT专利保护结束，HJT迎来了快速发展时期
我对行业和中环未来的判断。 何况，我们还这么努力。 此时的沈浩平已经在中环工作了29年。1983年，关于薄膜非晶硅电池毕业论文登上国家级刊物《电子学报》的沈浩平从兰州大学加入中环，29年间，他从拉晶
2-2.5亿元左右，而HJT投资额在4-4.5亿元左右，但单GW PERC改造为TOPCon金额约6000-8000万元左右，主要新增设备为非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备，可实现
对PERC的低成本升级至TOPCon。
TOPCon的未来：良率，成本与时间的赛跑
相较于PERC，TOPCon多了2-3道工序，如：硼扩、非晶硅沉积及镀氧化层膜等，且该两大
在一项新研究中，科学家利用超高真空导电原子力显微镜(cAFM)，发现了硅太阳能电池中非晶硅接触层的损耗机制。
研究于3月17日发表在《ACS应用纳米材料》上，标题为Imaging
/千瓦时的价格发电。当今最高效的硅太阳能电池核心部分是小于10纳米的选择性非晶硅(a-Si:H)接触层，这些接触层负责分离光产生的电荷。HZB使用这种硅异质结太阳能电池可实现24%以上的效率，做成
