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非晶硅
端的摸索，新技术就不会被提出;没有设备端的发展，新技术就难以落地。异质结作为一种已经存在超过30年的技术，近几年来设备的持续降本是其开始广受关注的核心原因。
异质结设备主要分为四类：制绒设备、非晶硅
PECVD：异质结降本的关键
目前非晶硅沉积设备的主流方案是静态链式PECVD。当前静态路线和动态路线之争已有结论，各家基本采用静态PECVD方案，其他方案如HWCVD、管式PECVD、团簇式PECVD等
大于24.5%，并累计获得了异质结客户10家，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。 HJT技术前瞻 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极
，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。 HJT技术前瞻 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池天然的对称结构使其
进行布局的企业之一，也是目前全球最大的N型TOPCon电池和组件制造商，目前具备2.4GW的N型TOPCon电池和组件的产能。 中来基于新一代隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的
with Intrinsic Thin Layer, HJT)全称本征薄膜异质结，其通过在P-N结之间插入本征非晶硅层进行表面钝化来提高转化效率。基于HJT的诸多优点，其有可能会成为下一代主流技术：1)传统HJT理论
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅片
专家表示，HJT电池技术通过增加一层非晶硅异质结来提高Voc开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%，HIT电池制备工序少、效率提升潜力较大。 目前已经量产或计划
将进一步增加 专家表示，HJT电池技术通过增加一层非晶硅异质结来提高Voc开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%，HIT电池制备工序少、效率提升潜力较大。 目前
一：政府代建 项目二：企业自筹 4、项目建设地点 项目一：江苏泰兴 项目二：浙江长兴 二、项目招标内容及方式 1、招标内容 高效异质结电池生产设备，其中主设备包含：制绒清洗设备、非晶硅
》，TOPCon工艺首先是将 PERC的磷扩改为硼扩，氧化硅层及磷掺杂非晶硅层的沉积目前有3条主要的工艺路线(在PERC上基础上增加，图中黄色部分)： (1)本征+磷扩：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层
晋能科技异质结二期项目扩产的166mm电池片成功下线，开始向大尺寸电池片量产技术的应用上进行前沿性开发。 晋能表示，本次高效异质结电池是对界面态处理、非晶硅生长、TCO沉积、金属化等技术进行全面升级并
