非晶硅
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD、PVD/RPD、丝印/电镀四道设备。目前国内试产及量产线基本实现了HJT设备的国产化替代，尤其通威股份1GW异质结
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%;
3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD
。 HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
了无需开孔的钝化接触结构; 5.2 无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减，兼容中高温烧结; 5.3 主要提升的钝化是背面钝化，背面采用1-2nm的高质量SiOx层结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而
ED2 Amendment 1 -修订1地面光伏(PV)组件-设计鉴定和定型-第1-3部分：基于薄膜非晶硅光伏(PV)组件测试的特殊要求CDV 流通中 (PL Peter Seidel
沉积非晶硅薄膜方式。TOPCon 需要在 PERC 产线上增加扩散、 刻蚀及沉积设备改造，成本增加幅度小;而 HJT 电池工艺最简单、步骤最少(核 心工艺 4到7 步)，但基本全部替换掉 PERC
大; 2)从工艺角度看，TOPCon与HJT实现功率提升的方式都是通过钝化，不过前者通过隧穿氧化层，HJT通过沉积非晶硅薄膜方式。TOPCon需要在PERC产线上增加扩散、刻蚀及沉积设备改造，成本增加
2-3家占据90%以上市场份额)，假设行业基本面没有大的变化，市场将有望诞生千亿市值公司!
HJT设备行业的竞争格局
HJT 4大工艺步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的
是湿式化学清洗设备。
主要厂商：日本YAC、德国Singulus、德国RENA。捷佳伟创的清洗设备已完成样机并交付。
2)PECVD(非晶硅薄膜沉积)：该步骤取代了传统PERC工艺中的扩散工艺，是
。
我们的整体规划是22GW，但是我们需要分阶段执行。因为异质结的技术还未到头，还在持续改进中，设备也在持续修改。目前异质结是做非晶硅，但是未来可能会改叠加微晶硅，所以未来设备需要做一些变动。所以着眼于
不正常，正常供应链情况下初步测算有2毛利润。
问题五：HJT规模起来后，铟会涨价吗?
答：传统的太阳能非晶硅电池用的是不含铟的透明导电膜。异质结为了高转化效率，采用的是氧化铟做成的透明导电膜。实际上
将HJT电池量产效率提升到26%;25年通过HJT叠层钙钛矿中试线效率达28%，HJT量产线效率有望达26%+。
非晶硅镀膜工艺优化：提升钝化效果
HJT电池可获得较高的转换效率，非晶硅薄膜的钝化
。可通过氢氟酸或氢等离子体对硅片进行预处理，减少硅片表面的重金属杂质，从而提升少子寿命、提高电池片效率，优化界面钝化效果。
HJT电池膜层优化：非晶微晶相结合
提升非晶硅薄膜的晶化
