非掺杂

组建的“高效太阳电池装备与技术国家工程研究中心”的最新研发成果，包括了突破性的微晶工艺技术和新型的微晶掺杂层结构等。TUV北德认证证书(节选)这次突破的主要亮点：首先，是微晶异质结电池制备工艺和电池
结构的重大突破。国家工程研究中心研发的双面微晶异质结电池转换效率比非晶异质结电池高了0.9%，其中微晶n/非晶p异质结电池的转换效率比非晶异质结电池提升了0.5%，在此基础上，双面微晶异质结电池的

efficiencyCE有一些积极影响，但可能对器件稳定性不利，并导致电压扫描中的大滞后效应。中科院半导体研究所游经碧等人在Science上发文，通过RbCl掺杂，将PbI2转化为非活性的(PbI2)2RbCl化合物

TOPCon光伏电池背钝化镀膜设备的优缺点进行深入分析，晟成光伏决定采用PECVD镀膜与低损伤PVD镀膜相结合的技术方式来制备TOPCon电池的背面隧穿二氧化硅膜层和掺杂非晶(碳化)硅膜层。该技术方式可以有效
硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。计算表明，TOPCon电池效率极限28.7%，最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率29.43%。 近年来

电势差，降低电子复合，提高效率。 TOPCon： 隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact)在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者
共同形成了钝化接触结构。 HJT： 具有本征非晶层的异质结(Heterojunction Technology)在电池片里同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的出现能更好地实现钝化效果。 IBC

电池，增加了硼扩散工艺，然后背面制备SiO/Poly-Si钝化接触结构。目前有三种方法制备钝化接触，最常用的是LPCVD沉积非掺杂的多晶硅，然后通过磷扩散对多晶硅进行掺杂，最后通过PECVD技术在前

型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升了电池的开路电压和短路电流，提高电池效率。 1)LPCVD是
;PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺;PVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺其中 LPCVD 技术工艺成熟且已实现量产，并且设备国产化完善，但绕镀、成膜速度慢等仍为目前工艺主要问题。 LPCVD

。TOPCon对比PERC：效率高1pct，电池非硅成本高0.05元，电池总成本高0.06元。TOPCon对比HJT：效率打平，电池非硅成本低0.17元，电池总成本低0.17元，受限于银浆耗量较大等因素
的实验室N型单晶电池效率达到25.4%，且目前已实现稳定量产效率24.5%，良率达99%。此次破纪录的太阳电池采用了自产的高品质直拉N型单晶硅片，通过超细栅线金属化技术、深度掺杂技术、低寄生吸收材料

%。 东方日升异质结新品伏曦 (Hyper-ion) 用微晶硅替代现有的非晶硅薄膜，异质结电池的转换效率比非晶掺杂层电池可以高出 0.5%，我们认为，在优化微晶技术之下，效率还有0.3~0.4
、更替材料等方面的研究。初期，效率甚至低于非晶，究其根本，新技术出现伊始，未必能一蹴而就。但我们有一条异质结中试线，结合两年多的批量跑片试验，积累了丰富经验。最终经过两个季度的调整后达成了预期效果