非掺杂
TOPCon光伏电池背钝化镀膜设备的优缺点进行深入分析，晟成光伏决定采用PECVD镀膜与低损伤PVD镀膜相结合的技术方式来制备TOPCon电池的背面隧穿二氧化硅膜层和掺杂非晶(碳化)硅膜层。该技术方式可以有效
硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。计算表明，TOPCon电池效率极限28.7%，最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率29.43%。
近年来
。
TOPCon 电池：全称隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳 电池，同时兼具良好的接触性能
，都是 利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非 晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流 子在接触表面附近很容易复合，因此要在
电势差，降低电子复合，提高效率。
TOPCon：
隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact)在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者
共同形成了钝化接触结构。
HJT：
具有本征非晶层的异质结(Heterojunction Technology)在电池片里同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的出现能更好地实现钝化效果。
IBC
电池，增加了硼扩散工艺，然后背面制备SiO/Poly-Si钝化接触结构。目前有三种方法制备钝化接触，最常用的是LPCVD沉积非掺杂的多晶硅，然后通过磷扩散对多晶硅进行掺杂，最后通过PECVD技术在前
型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，提升了电池的开路电压和短路电流，提高电池效率。
1)LPCVD是
;PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺;PVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺其中 LPCVD 技术工艺成熟且已实现量产，并且设备国产化完善，但绕镀、成膜速度慢等仍为目前工艺主要问题。
LPCVD
。TOPCon对比PERC：效率高1pct，电池非硅成本高0.05元，电池总成本高0.06元。TOPCon对比HJT：效率打平，电池非硅成本低0.17元，电池总成本低0.17元，受限于银浆耗量较大等因素
的实验室N型单晶电池效率达到25.4%，且目前已实现稳定量产效率24.5%，良率达99%。此次破纪录的太阳电池采用了自产的高品质直拉N型单晶硅片，通过超细栅线金属化技术、深度掺杂技术、低寄生吸收材料
%。
东方日升异质结新品伏曦 (Hyper-ion)
用微晶硅替代现有的非晶硅薄膜，异质结电池的转换效率比非晶掺杂层电池可以高出 0.5%，我们认为，在优化微晶技术之下，效率还有0.3~0.4
、更替材料等方面的研究。初期，效率甚至低于非晶，究其根本，新技术出现伊始，未必能一蹴而就。但我们有一条异质结中试线，结合两年多的批量跑片试验，积累了丰富经验。最终经过两个季度的调整后达成了预期效果
成本框架中，可分为硅片成本和非硅片成本。目前异质结电池使用的N型硅片厚度普遍在140um左右，由于异质结电池技术可以使用薄片，随着硅片切片技术的进步，异质结电池可降到120微米以下，如100m至120m的薄
硅片，所以，在硅片成本部分，异质结电池的硅片成本将低于PERC电池，显著优于PERC电池。
因此，成本的差距主要集中在非硅片成本部分，进一步分解，则是因为异质结电池使用的低温银浆成本过高。根据测算
Tunnel oxide、Poly-Si、正面膜设备，该技术核心方案完美实现了隧穿层、Poly层、原位掺杂层的 三合一 制备，不仅解决了传统TOPCon电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有
难点，而且新型PE-poly技术路线的原位掺杂时间仅为传统LP路线的五分之一。
该技术路线的正面膜率先实现新型二合一模式、背面Poly实现三合一模式量产，从产品良率到转换效率已具备明显优势;并且从设备投资到
。 量产微晶HJT电池 大腔室PECVD更具优势 微晶掺杂层的异质结电池的转换效率比非晶掺杂层电池的高出0.5%，微晶异质结电池的量产重中之重在于PECVD设备。2020年开始，公司逐步将微晶
